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需求殷切，崇越2023年大啖寬能隙半導體商機，氮化鎵出貨倍數成長
【財訊快報／記者張家瑋報導】因應快充、通訊及車用在高頻、高壓性能要求提升，第三代寬能隙半導體大行其道，氮化鎵基板及磊晶片拉貨動能逐季增加，半導體材料通路商崇越(5434)代理日商信越6吋GaN on QST晶圓及8吋GaN on OST晶圓受惠於國內一線晶圓大廠採用，陸續接獲多家客戶長期合約，法人預估2023年逐季放量成長，隨著信越進一步擴增產能，全年出貨量可望呈倍數成長。 日商信越開發出複合材料GaN on QST，最上層Silicone EPI晶格較為容易生長氮化鎵，由於厚度較傳統製程薄，因此，較不會有內應力集中、降低翹曲（warpage）破片問題，更有利於晶圓廠大量量產，其QST基板最適合CMOS製程，可用於要求耐壓1800V以上的功率元件、5G、RF元件及微型LED顯示器等。
崇越表示，一般在純矽基板磊晶氮化鎵應力非常大，信越QST上晶格與氮化鎵是可匹配的，且目前氮化鎵或碳化矽基板價格仍相當昂貴，而GaN on Si價格雖相對便宜，但品質良率不佳，QST同時具備價格與品質競爭優勢。此外，崇越也因應5G、化合物半導體在高頻、高壓、高溫操作，推出相關散熱材料、模組、熱膏及墊片，可以配合客戶進行客製化服務。
5G設備供應鏈業者透露，美國在去年通過650億美元基礎設施法案，用於寬頻網路部署，下半年5G基礎建設布建有加快跡象，設備及運營商拉貨積極，帶動崇越GaN on QST應用於5G相關訂單增加。
因應寬能隙半導體需求快速增長，信越在今年上半年宣布擴大其氮化鎵量產，加速氮化鎵磊晶片產能，預計在6吋和8吋的QST基板供應將產量翻倍，以滿足市場快速增長的需求。
法人指出，信越特殊設計相容於既有半導體製程，GaN on QST適用於8吋廠生產，具有製作AP的成本優勢，預期全球2021至2027產業年平均複合成長率將高達59%，未來5年崇越在氮化鎵的營收呈現高速成長。
