長鑫存儲傳擬赴香港上市籌10億美元

工商時報張漢驊

2025年1月21日週二上午5:29

路透旗下IFR引述消息人士報導，中國記憶體晶片（DRAM）製造商長鑫存儲（CXMT）考慮最早2025年在香港上市，目前正與潛在財務顧問討論相關事宜，計劃集資約10億美元。

報導稱，長鑫存儲是中國最大的記憶體晶片製造商之一，專門從事DRAM的設計研發和生產銷售，目前相關產業主要是由三星電子、SK海力士及美光科技主導。

相關內容

長江存儲武漢蓋第三廠預計2027年投產

全球人工智慧（AI）基礎建設掀起新一波投資熱潮，中國大陸積極推動記憶體晶片自主化產業布局。除了DRAM與高頻寬記憶體（HBM）等AI關鍵元件之外，大陸記憶體大廠長江存儲宣布在武漢啟動第三座晶圓廠建設計畫，預定在2027年投產，顯示中國大陸正全力押注AI資料中心需求大爆發。

工商時報・ 1 天前

【時報-台北電】記憶體平均銷售價格（ASP）走升、供應商獲利改善，DRAM與NAND Flash原廠在2026年，將持續增加資本支出，但仍顯保守，對於2026年位元產出成長挹注有限。 DRAM產業資本支出在2025年預估達537億美元，2026年成長至613億美元，年增率14％。 NAND Flash部分，2025年資本支出估為211億美元，2026年則小幅增長至222億美元，年增約5％。 TrendForce指出，美光在DRAM投資積極，2026年資本支出估135億美元、年增23％，主攻1-gamma製程導入以及TSV設備建置。 SK海力士2026年資本支出估205億美元、年增17％，用於M15x的HBM4擴產；三星2026年投入約200億美元、年增11％，聚焦HBM 1C製程滲透及P4L小幅增產。 NAND Flash供應商中，鎧俠／SanDisk預計投入45億美元，年增41％，加速BiCS8生產並投資BiCS9研發。美光2026年目標是微幅增加NAND Flash產能並專注G9製程和enterprise SSD，預計資本支出年增幅達63％。相較之下，三星和SK海力士／Soli

時報資訊・ 6 小時前

記憶體產業明年位元產出有限

記憶體平均銷售價格（ASP）走升、供應商獲利改善，DRAM與NAND Flash原廠在2026年，將持續增加資本支出，但仍顯保守，對於2026年位元產出成長挹注有限。

工商時報・ 10 小時前

DRAM明年資本支出年增率約14%，有助ASP維持高檔或續漲空間

【財訊快報／記者李純君報導】根據市調單位TrendForce公布的數據顯示，隨著記憶體平均銷售價格(ASP)持續提升，供應商獲利也有所增加之下，DRAM後續的資本支出將會持續上漲，2026年的資本支出年增率約14%。業界分析，有限制增加資本支出增加率，將有助於讓ASP持續維持在高檔，甚至有持續上漲的空間。DRAM產業的投資重心正逐漸轉變，從單純地擴充產能，轉向製程技術升級、高層數堆疊、混合鍵合以及HBM等高附加價值產品。而DRAM產業的資本支出在2025年預計將達到537億美元，預計在2026年進一步成長至613億美元，年增率達14%。在DRAM各供應商中，Micron美光被認為是最積極的廠商，其2026年資本支出預計達135億美元，年增23%，主要專注於1 gamma製程滲透和TSV設備建置。SK hynix海力士的增幅也十分顯著，2026年預計為205億美元，年增17%，以應對M15x的HBM4產能擴張。Samsung三星預計投入200億美元，年增11%，用於HBM的1C製程滲透及小幅增加P4L晶圓產能。TrendForce指出，目前在無塵室空間也有不足供應的情況，檢視所有DRAM

財訊快報・ 23 小時前

《科技》記憶體產業明年資本支出略保守位元產出成長挹注有限

【時報記者葉時安台北報導】根據TrendForce調查顯示，隨著記憶體平均銷售價格(ASP)持續提升，供應商獲利也有所增加之下，DRAM與NAND Flash後續的資本支出將會持續上漲，但對於2026年的位元產出成長的挹注有限。DRAM和NAND Flash產業的投資重心正逐漸轉變，從單純地擴充產能，轉向製程技術升級、高層數堆疊、混合鍵合以及HBM等高附加價值產品。 DRAM產業的資本支出在2025年預計將達到537億美元，預計在2026年進一步成長至613億美元，年增率達14%。NAND Flash部分，資本支出在2025年預計為211億美元，2026年預計小幅增長至222億美元，年增約5%。在DRAM各供應商中，Micron美光被認為是最積極的廠商，其2026年資本支出預計達135億美元，年增23%，主要專注於1 gamma製程滲透和TSV設備建置。SK hynix海力士的增幅也十分顯著，2026年預計為205億美元，年增17%，以應對M15x的HBM4產能擴張。Samsung三星預計投入200億美元，年增11%，用於HBM的1C製程滲透及小幅增加P4L晶圓產能。 TrendFo

時報資訊・ 23 小時前

DRAM價格狂飆工業電腦網通廠成重災區

DRAM價格狂飆，記憶體廠獲利喊嗨，但下游工業電腦（IPC）廠、網通廠卻意外成了受災戶，步步高的成本明顯壓縮獲利，估對相關廠商毛利率影響逾1個百分點，為因應成本拉高，雖已有業者著手醞釀漲勢，但市場憂心恐衝擊第三及第四季財報，從而拖累股價表現，相關類股漲少跌多，其中尤以遭調降目標價的啟碁（6285）傷最重，10日跌逾半根停板。

工商時報・ 3 天前

《台北股市》DRAM價格狂飆工業電腦網通廠成重災區

【時報-台北電】DRAM價格狂飆，記憶體廠獲利喊嗨，但下游工業電腦（IPC）廠、網通廠卻意外成了受災戶，步步高的成本明顯壓縮獲利，估對相關廠商毛利率影響逾1個百分點，為因應成本拉高，雖已有業者著手醞釀漲勢，但市場憂心恐衝擊第三及第四季財報，從而拖累股價表現，相關類股漲少跌多，其中尤以遭調降目標價的啟碁（6285）傷最重，10日跌逾半根停板。 DRAM價格狂飆幾家歡樂幾家愁，繼南亞科、華邦電第三季告捷後，受害股也跟著浮出檯面。根據集邦科技（TrendForce）最新數據，2025年第三季DRAM合約價較去年同期暴漲171.8％，因成本驟增，災情已逐漸浮現，不單工業電腦龍頭研華直言，DDR4價格狂飆，已侵蝕上季毛利率1％；網通大廠合勤控甚至揚言，若DRAM報價續漲，對毛利率的影響恐擴大至4至5個百分點。為降低成本壓力，工業電腦龍頭研華決定開第一槍，宣布調升部分產品價格，其中，板類產品漲幅約4％、系統產品則漲約8％，然因新價格對毛利率影響，須待一至兩個季度後才會顯現，第四季毛利率仍難免會受影響，顯示漲價救股價效益有限，致其股價開小高後收最低，300元關卡保衛戰迫在眉睫。不單研華受累，其他

時報資訊・ 3 天前

創見股價過山車！5根漲停累漲68%後狂摔跌停　仍擋不住DRAM缺貨潮推動「EPS飆3.52元」

[FTNN新聞網]記者陳献朋／綜合報導受惠於DRAM缺貨價格大漲，記憶體大廠創見（2451）最近股價表現優異，上週釋出的第三季亮眼財報帶出連7漲佳績，且連五日直攻...

FTNN新聞網・ 2 小時前

中國線上折扣零售商唯品會傳考慮明年香港上市

【財訊快報／劉敏夫】外電報導指出，熟知內情的消息人士透露，中國的線上折扣零售商唯品會控股考慮最快於明年在香港上市。以相關訊息未公開為由要求匿名的消息人士透露，唯品會這家已在美國上市的公司正與顧問就潛在的股票發行事宜進行磋商。消息人士表示，相關討論仍在進行中，最終未必會促成上市。對於上述消息，唯品會代表未回覆置評請求。多家中國公司正尋求在香港進行二次上市，推動了該亞洲金融中心的交易活動。這些公司包括在內地上市、希望更好地接觸外國投資者的公司，以及在美國上市、可能面臨退市威脅的公司。今年，唯品會在美國的股價已上漲47%，市值達到102億美元。

財訊快報・ 2 天前

記憶體廠2026年資本支出年增11.6% 位元成長有限

TrendForce 今 (13) 日指出，2026 年 DRAM 與 NAND Flash 供應商的資本支出合計將達 835 億美元，年增 11.6%，但整體位元產出成長仍有限。主要因 DRAM 和 NAND Flash 產業的投資重心正逐漸轉變，

鉅亨網・ 22 小時前

大陸傳干預中芯晶片分配優先滿足華為需求

華爾街日報引述消息人士透露，大陸先進半導體的短缺問題非常嚴重，中國政府已開始干預晶片製造商中芯國際的產出分配方式，試圖優先滿足華為等科技巨頭和國家領軍企業的需求，而華為正利用中芯國際的技術生產AI晶片。

中時財經即時・ 1 天前

南茂：第4季記憶體動能穩健　明年記憶體好一整年

（中央社記者鍾榮峰台北2025年11月11日電）面板驅動晶片和記憶體封測廠南茂(8150)董事長鄭世杰今天表示，第4季整體記憶體動能穩健，其中動態隨機存取記憶體（DRAM）動能成長明顯，南茂積極擴大混合訊號晶片及人工智慧（AI）應用特殊應用晶片（ASIC）產品。鄭世杰預期，2026年記憶體會持續好的一年，包括高頻寬記憶體（HBM）、DDR4、DDR5、NAND和NOR快閃記憶體，都會很好，與客戶簽訂長期保障合約，才會謹慎投資擴充產能，價格也會重新議定。南茂下午舉行線上法人說明會，展望第4季市況，鄭世杰指出，終端消費需求仍相對保守，不過人工智慧（AI）雲端資料中心建置，帶動企業級NAND型快閃記憶體和動態隨機存取記憶體（DRAM）需求，加上邊緣裝置（Edge AI）和低成本AI方案興起，整體記憶體動能穩健，南茂持續聚焦優化產品組合、管控營運成本，並活化閒置資產。在記憶體，鄭世杰表示，客戶庫存回補，需求穩健，整體動能優於面板驅動晶片（DDIC）產品，其中DRAM動能成長明顯，快閃記憶體（Flash）動能略為趨緩。在面板驅動晶片，鄭世杰指出，中國大陸先前補貼政策帶動提前備貨潮已告一段落，電視

中央社財經・ 2 天前

記憶體漲不停！ DRAM顆粒現貨價飆過模組 NAND漲勢可望延續至下季

AI應用浪潮持續發酵，推動全球記憶體市場全面升溫。根據市調機構集邦科技（TrendForce）最新報告，DRAM與NAND Flash價格雙雙走揚，其中DRAM顆粒現貨價格首度超越模組價格，反映供應吃緊與惜售氛圍濃厚。隨著企業級SSD需求強勁，NAND漲勢預期將延續至明年第一季。

EBC東森財經新聞・ 1 天前

華邦電 10月營收年增逾34％

華邦電（2344）公布10月自結合併營收。華邦電含新唐科技等子公司，10月合併營收82.25億元，月增3.85％，年增34.88％；累計前十月合併營收710.06億元，年增2.88％。

工商時報・ 3 天前

記憶體產業明年資本支出仍保守 TrendForce：供不應求延續2026年全年

根據研調機構集邦科技TrendForce調查，隨著記憶體平均銷售價格(ASP)持續提升，供應商獲利也有所增加之下，DRAM與NAND Flash後續的資本支出將會持續上漲，但對於2026年的位元產出成長的挹注有限，預估NAND Flash市場的供不應求狀態預計將延續2026年全年。

Yahoo奇摩股市・ 23 小時前

韓股衝高壓回收漲0.81%，DRAM雙雄三星和海力士表現給力

【財訊快報／陳孟朔】上日急漲約3%為半年來最旺，且在亞股稱王的韓國股市週二一度追高114.22點或2.8%至4,187.46點的日高，但在亞股普遍由盛轉衰的同時，綜合股價指數(KOSPI)多頭氣焰跟著消風，終場漲幅縮小至0.81%或33.15點，站回4,100點關口至4,106.39點，日低在4,066.58點。「雙電」電力天然氣和電子股為領頭羊，DRAM雙雄再度發威。其中，韓國最大供電商韓國電力雖然第三季營利表現不如預期，但投資人在油/氣/煤走弱與結構調整的框架下，先卡位「2026年前後現金流與獲利修復」的故事，股價收盤大漲7.14%至49,550韓元，帶旺電力天然氣飆高5.92%成了十九大類股的買氣中心。紡織成衣類股急漲4.89%排名第二，主流電子股追高2.29%為第三旺。但十九大類股有高達十三類下跌，食品飲料跌1.47%為最大賣壓中心。三星電子繼上日急漲3.90%後，再漲2.17%至10.35萬韓元，為三十檔大型股(KTOP30)第二旺個股；SK海力士續漲1.14%至61.9萬韓元為第四旺，繼上日抽高6.99%後，今日一度急漲5.6%至64.6萬韓元的日高暨26年新高。

財訊快報・ 2 天前

《熱門族群》DRAM狂飆傷了誰？工業電腦、網通淚漣漣啟碁近半根跌停

【時報-台北電】DRAM價格狂飆，記憶體廠獲利喊嗨，但下游工業電腦（IPC）廠、網通廠卻意外成了受災戶，步步高的成本明顯壓縮獲利，估對相關廠商毛利率影響逾一個百分點，為因應成本拉高，雖已有業者著手醞釀漲勢，但市場憂心恐衝擊第三季財報，從而拖累股價表現。不單工業電腦龍頭研華（2395）今日股價開高走低，即將面臨300元整數關卡保衛戰，其他網通廠包括合勤控（3704）、啟碁（6285）都一度翻黑，啟碁跌幅更一度擴大至近半根停板，致回測百元關卡壓力大增。 AI浪潮狂吹，部分記憶體現貨價格一夕數價，根據集邦科技（TrendForce）最新數據，2025年第3季DRAM合約價較去年同期暴漲171.8％，因成本驟增，災情已逐漸浮現，不單工業電腦龍頭研華直言，DDR4價格狂飆，已侵蝕上季毛利率1％；網通大廠合勤控甚至揚言，若DRAM報價續漲，對毛利率的影響恐擴大至4至5個百分點。因影響甚鉅，漲價潮一觸即發，研華日前已開出第一槍，宣布調升部分產品價格，其中，板類產品漲幅約4％、系統產品則漲約8％，然因新價格對毛利率影響須等到一至兩季度後才會顯現，今年第四季毛利率仍難免會受影響。（新聞來源：工商即時

時報資訊・ 4 天前

5天衝了快40%！創見股價狂飆「炸出64萬巨量」200元大關指日可待

[FTNN新聞網]記者陳献朋／綜合報導受惠於DRAM缺貨價格大漲，記憶體大廠創見（2451）最近股價表現搶眼，今（12）日股價再度直衝漲停，開盤後迅速往上飆升，短...

FTNN新聞網・ 2 天前

馬斯克想當「台積電和三星印鈔機」韓媒揭真正目的

特斯拉執行長馬斯克（Elon Musk）近期決定將AI5與AI6晶片的部分代工訂單交由三星電子負責，此舉令外界相當驚訝。儘管三星與台積電在客製化晶片製造上仍存在技術差距，但馬斯克仍選擇讓兩家晶圓巨頭共同為特斯拉供應AI晶片，顯示他在生產策略上出現重大轉變。

中時財經即時・ 1 天前

《熱門族群》記憶體買盤未歇！DRAM雙雄再創新天價

【時報-台北電】記憶體股買盤續熱，股價續攻高。DRAM雙雄南亞科(2408)、華邦電(2344)續創歷史新天價，下游模組廠創見(2451)、威剛(3260)亦再創新高價。早盤南亞科領軍，封測廠華東(8110)、南茂(8150)也再攀新高價。記憶體股火熱的買盤未歇，今早以DRAM大廠南亞科(2408)帶量上攻領軍，南亞科目前是成交第六大量個股。另外，旺宏(2337)、華東分居於第八大及第十大量之成交個股。華東再漲停續創新高最強勢。記憶體缺貨帶動產品價格上揚，股價及人氣更旺，今早DRAM雙雄南亞科(2408)、華邦電(2344)再創歷史天價，下游模組廠創見(2451)、威剛(3260)也聯袂再創新高價。記憶體族群持續火熱，除了製造廠南亞科再攀高以外，封測廠華東(8110)、南茂(8150)又強攻漲停，多頭續旺。記憶體價格全面漲價，從DRAM漲勢，蔓延至NAND Flash、Nor Flash，擴散至SSD、硬碟等儲存裝置。南茂(8150)法說會釋利多，第三季轉盈，預期第四季整體記憶體動能穩健，看好2026年記憶體是持續好的一年，股價再強攻漲停創本波新高。華邦電(2344)受惠

時報資訊・ 1 天前