鎧俠傳明年生產第10 代 NAND Flash 效能大升級
據外電報導，日本記憶體晶片製造商鎧俠（Kioxia）計畫於2026年開始，在其岩手縣工廠生產新一代的NAND快閃記憶晶片，以滿足AI資料中心日益增長的需求。
報導中指出，該款記憶體晶片將以「第10代」技術展開量產，與自家現行的第8代產品相比，可堆疊記憶體的層數由218層大幅提升至332層，每單位面積的儲存容量可提升59％，資料傳輸速度也能提高33％，此外該款新品能耗也更低。
上述提及的新晶片效能提升，如記憶容量、傳輸速率乃至用電量，對於需要高速處理的AI運算工作來說，皆至關重要。
多名消息人士指出，鎧俠並不會蓋新工廠，而是會活用今年9月投產的岩手縣北上市的晶圓二廠（K2）生產第10代NAND快閃記憶晶片。
該工廠現已可支援採用CBA（CMOS Direct Bonded to Array）技術生產218層3D NAND，並設計為可延伸至未來更高堆疊的NAND世代。隨著AI採用加速及NAND長期需求增加，該廠的產能將逐步提升，並預計於2026年上半年就能開始量產。
此外，鎧俠採取雙線發展策略，一方面開發推出層數更多、容量更大的大型產品，如上文所提的第10代晶片；另一方面則開發並量產高效能、但投資成本較低的產品，也就是第9代晶片。
第9代晶片將在四日市晶圓廠生產，預計推出時間為2025會計年末，會在第10代產品問世前推出量產，主要針對消費性產品與手機應用。
該晶片技術重點上則是不以疊加層數為主，而是採用CBA技術改善周邊邏輯與記憶體陣列的通訊，降低延遲並強化信號穩定性，更強調穩定性能、能源效率。
鎧俠的新產品組合定位上，第10代快閃NAND主要是面向企業級，專為AI資料中心打造，9代產品則是面向消費性產品。
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