超級週期炸了！記憶體正從「大宗商品」變「戰略物資」專家：AI算力綁定是關鍵

全球記憶體晶片市場正以超預期速度從低谷中強勢復甦，三星、SK 海力士、西部數據 (WD)、美光等巨頭最新一季財報集體報喜，不僅獲利利潤雙位數增長，更釋放出記憶體進入新一輪「超級週期」的強烈信號。這場由 AI 需求驅動的產業變革，正重塑全球記憶體產業競爭格局與成長邏輯。

今年第三季，三星以近三年來最亮眼財報拉開復甦序幕，營收年增 159.6% 至 86.1 兆韓元，其中記憶體業務成為絕對引擎，設備解決方案部門下屬的記憶體業務營收季增 26% 至 26.7 兆韓元，季增 26%，貢獻集團總營收的 31%，成長主要來自 AI 伺服器與高效能運算市場對高頻寬、大容量記憶體的旺盛需求，因生成式 AI 與大模型訓練推高 HBM 與 DDR5 的增量空間。

三星在 HBM 領域的佈局已進入收穫期，128GB DDR5、24Gb GDDR7 等高端產品量產，HBM3E 單季比特銷量季增 80%，更向輝達等客戶交付 HBM4 樣品，其低功耗下 11Gbps 的傳輸性能正推動客戶調整原定計畫，目標 2026 年正式生產。

在產能與技術層面，三星今年打算投入 47.4 兆韓元用於設施建設，86% 預算投向半導體部門，重點擴建 1c DRAM 產線及推進 24GB GDDR7 量產，同時透過引進 5 台艾司摩爾 High-NA EUV 光刻機提昇先進儲存技術，與輝達共建效率生產效率為增強半導體技術增建的數位設計。三星預計，2026 年記憶體需求將遠超供應能力，客戶訂單已超出目前產能。

SK 海力士則以創紀錄業績成為本輪復甦的「領頭羊」。今年第三季營收年增 39% 至 24.45 兆韓元，營業利潤年增 62% 至 11.38 兆韓元，淨利 12.6 兆韓元，淨利率高達 52%，營業利益率 47% 刷新歷史紀錄。DRAM 與 NAND 價格同步回升，加上 AI 伺服器以高效能記憶體晶片需求爆發，是核心驅動力。

DRAM 作為營收主力，達 19.07 兆韓元，平均售價 (ASP) 上升 4%-6%；NAND 業務雖 bit 出貨量微降，但 AI 伺服器端 eSSD 的高附加價值需求推動 ASP 大漲 10%-15%。

更重要的是，SK 海力士已鎖定 2026 年 HBM 供應，HBM4 於 9 月完成開發並啟動量產，與輝達談判確定的 HBM4 單價較 HBM3E 上漲超 50%，凸顯技術溢價能力。SK 海力士在全球 HBM 市占率已達 58%，且鎖定 2026 年全系列產能預購，部分客戶甚至提前，SK 海力士更提出「全端 AI 記憶體創造者」願景，計畫在 2026-2028 年推出 16 層 HBM4、LPDDR6 及 PCIe Gen6 SSD，2029 年後升級至 HBM5 與 3D DRAM，目標透過儲存與運算物理融合降低能耗。

WD 雖以雲端儲存為主業，但同樣受益於 AI 算力需求爆發，2026 財年第一季營收 28.2 億美元，年增 27%，營業利益率 30.4%，毛利率 43.9%，雲端服務業務貢獻 89% 營收，其中超大規模雲端服務商對 32TB UltraSMR、26TB CMR 等高容量近線儲存產品需求強勁，出貨量突破 220 萬台，近線儲存容量出貨年增率 30%。

更值得關注的是訂單能見度，WD 前七大客戶已提交 2026 年上半年採購訂單，5 家涵蓋全年，最大客戶更簽訂 2027 年長期協議，保障了產能利用率與獲利穩定性。技術上，WD 的 36TB ePMR 硬碟認證提前完成，2026 下半年量產，單盤毛利率預計 47%；HAMR 技術 2027 年將量產 50TB 型號，儲存成本下降 20%；AI 測試實驗室的設立則透過演算法優化提升營運效率。WD 也確認將不新增單位產能，而是透過自動化與 AI 優化泰國、馬來西亞基地利用率至 90%，避免過剩風險。

美光科技則以全年歷史紀錄印證業熱度。2025 財年營收 373.8 億美元，年增 48.8%，第四季營收 113.2 億美元，毛利率 44.7%，營業利益率 32.3%，資料中心業務成最大亮點，佔總營收 56%，HBM、高容量 DIMM 等產品營收 100 億美元，較 2024 財年成長超過 500%，且單季 HBM 營收就近 20 億美元。

技術層面，美光率先量產 1γ節點 DRAM（採用 EUV 技術），HBM3E 功耗較競品低 30%、容量高 50%，232 層 3D NAND 支援 AI 向量搜索，延遲降低；PCIe Gen6 SSD 首發。

作為美國本土唯一記憶體製造商，美光的新加坡封裝廠擴產，並與輝達、超微深度合作，HBM3E 產能已售罄。美光商務長 Sumit Sadana 警告，2026 年 DRAM 供應恐更吃緊，HBM 生產消耗晶圓量為標準 DRAM 三倍，加劇供需失衡。美光在 2026 財年的資本支出 131 億美元，重點擴大 HBM 與高容量儲存產能，逐步停止 DDR4 生產。

綜合財報與產業動態，記憶體市場正經歷結構性變革。產品價格進入上行通道，DRAM 通用顆粒價格半年漲 367%，HBM4 單價較 HBM3E 漲超 50%；供需失衡加劇，AI 每月消耗數十萬片晶圓，推動 HBM、DDR5 供不應求，而中低端 DDR4 因減產過快出現錯配。

值得注意的是，產能向高階記憶體傾斜成為市場共識。三星、SK 海力士、美光停掉或壓縮 DDR4 產能，轉向 DDR5 與 HBM，NAND 市場縮減消費級產能，聚焦企業級 3D QLC。

技術迭代加速，High NA EUV 光刻機也成競爭焦點，艾司摩爾第三季儲存類別訂單佔比從 16% 上升到 47%，印證先進設備需求，大客戶長單模式興起，SK 海力士鎖定 2026 年產能，WD 訂單看到後年，三星、SK 海力士更與輝達共建 AI 工廠、參與 OpenAI「星艦之門」資料中心項目，綁定深度強化。

這場由 AI 驅動的變革，正將記憶體晶片從標準化大宗商品重塑為影響算力發展的策略性資源。產業集中度提升，主要廠商透過技術、產能、生態綁定建構壁壘，馬太效應加劇。

未來，掌握 HBM、高容量 DRAM/NAND、先進製程三大要素將成為搶佔紅利關鍵，記憶體產業不僅迎來結構性繁榮，更將深度嵌入 AI 算力生態，技術創新與協同將持續推動其邁向新增長時代。

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