記憶體產業 明年位元產出有限
記憶體平均銷售價格（ASP）走升、供應商獲利改善，DRAM與NAND Flash原廠在2026年，將持續增加資本支出，但仍顯保守，對於2026年位元產出成長挹注有限。
DRAM產業資本支出在2025年預估達537億美元，2026年成長至613億美元，年增率14％。
NAND Flash部分，2025年資本支出估為211億美元，2026年則小幅增長至222億美元，年增約5％。
TrendForce指出，美光在DRAM投資積極，2026年資本支出估135億美元、年增23％，主攻1-gamma製程導入以及TSV設備建置。
SK海力士2026年資本支出估205億美元、年增17％，用於M15x的HBM4擴產；三星2026年投入約200億美元、年增11％，聚焦HBM 1C製程滲透及P4L小幅增產。
NAND Flash供應商中，鎧俠／SanDisk預計投入45億美元，年增41％，加速BiCS8生產並投資BiCS9研發。
美光2026年目標是微幅增加NAND Flash產能並專注G9製程和enterprise SSD，預計資本支出年增幅達63％。
相較之下，三星和SK海力士／Solidigm則將縮減或限制NAND Flash資本支出，優先將投資轉向HBM和DRAM領域。
不過，陸廠長江存儲，擬跨足DRAM生產，成為全球市場高度關注的變數。
根據外電報導，長江存儲已開始興建第三座晶圓廠，目標於2027年投產；同時正擴增第二座工廠產能，試圖在境內本土化需求與AI算力爆發推動下，搶占更大市場。
長江存儲雖主要供應中國大陸市場，但以其擴張速度，兩年內可能成為全球第五大、甚至第四大NAND供應商。
此外，長江存儲正考慮跨入DRAM，並評估生產可做為HBM基礎的DRAM Die。這意味著該公司可能直接切入AI時代最關鍵的高頻寬記憶體供應鏈，對既有DRAM大廠，形成潛在競爭壓力。
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