華邦電規劃進一步擴充DDR4與DDR3產能，月底董事會討論

【財訊快報／記者李純君報導】記憶體大廠華邦電(2344)規劃進一步擴充DDR4與DDR3等DRAM產能，細部規劃最快在本月底董事會後揭露，新增產能後年初到位，至於NOR部分，則會在明年多出5千片產出。陳沛銘分析，DDR4本次的缺貨，主要源自需求穩定，但三大國際記憶體製造商在AI趨勢下將產能轉作DDR5和HBM，而自DDR4轉入DDR5和HBM後，製程節點不同，產線無法重新轉回DDR4，這和過去的DDR3轉入DDR4不一樣，因此產線一旦轉了，產能就多半就轉不回去，且雖然有部分原先使用DDR4的會轉入DDR5，但進入DDR5所需要搭配的控制晶片得進入12奈米以下而且很貴，所以像對網通應用來說，轉了不一定有轉的必要。

他提到，也因此DDR4真的缺，但目前有做DDR4的也就只有華邦電跟南亞科(2408)，所以兩家公司會受惠。也因為這波DDR4很缺且報價看漲趨勢延續，華邦電有望進一步增加DRAM擴產，相關訊息可望在近期董事會討論決議。

華邦電目前產能部分，高雄廠為DDR3和DDR4生產基地，目前DDR3比重高些，高雄廠目前月產能一萬五千片，最大滿載月產能上看二萬五千片到二萬七千片。NOR部分，以台中廠為主，目前月產約四萬二千片，預計明年NOR加上NAND要增加月產五千片。

陳沛銘補充，自家有產能上修的規劃，但要等月底董事會的決議，屆時會談新的設備採購計劃，而過去設備交期多半得等十五個月，現在則是九個月到一年，改善很多，新設計會在明年第三季和第四季到位，產能會在後年初加入。而華邦電在DRAM部分，16奈米製程已完成生產認證（CPR），將從20奈米節點轉進16奈米，產出預計提升約30%。