英特爾追趕中！4奈米技術細節出爐 盼打好基礎拚「2025製程領先」

繼台積電（2330）年度技術論壇大秀2奈米及支援3奈米的FINFLEX技術，三星6月底也稱3奈米已量產，較5奈米製程功耗少45%、效能提升23%，晶片面積小16%。英特爾（Intel）積極追趕，今（4）日宣布Intel 4製程技術採EUV，相較Intel 7，在相同功耗提升20％以上效能，高效能元件庫（library cell）密度則是2倍。

英特爾近期於美國檀香山舉行年度VLSI國際研討會，公布Intel 4製程技術細節。英特爾表示，這項製程技術達成兩項關鍵目標：滿足開發中產品需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，並推進先進技術和製程模組，帶領英特爾2025年重回製程領先地位。

過去4年來Intel 4如何達成這些效能數據？英特爾介紹，Intel 4於鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸（Critical Dimension），持續朝向微縮的方向前行，並同時導入設計技術偕同最佳化，縮小單一元件尺寸。透過FinFET材料與結構上的改良提升效能，Intel 4單一N型半導體或是P型半導體，其鰭片數量從Intel 7高效能元件庫的4片降低至3片。綜合相關技術大幅增加邏輯元件密度，並縮減路徑延遲和降低功耗。

英特爾還說明，Intel 7已導入自對準四重成像技術（SAQP）和主動元件閘極上接點（COAG）技術來提升邏輯密度。前者透過單次微影和兩次沉積、蝕刻步驟，將晶圓上的微影圖案縮小4倍，且沒有多次微影層疊對準的問題；後者則是將閘極接點直接設在閘極上方，而非傳統設在閘極的一側，進而提升元件密度。

此外，Intel 4更進一步加入網格布線方案（gridded layout scheme），簡單化並規律化電路布線，提升效能同時改善生產良率。

而隨著製程微縮，電晶體上方金屬導線、接點也隨之縮小；導線電阻和線路直徑呈現反比。英特爾表示，其Intel 4採用新的金屬配方強化銅（EnhancedCu），以銅做為導線、接點的主體，取代Intel 7所使用的鈷，外層再使用鈷、鉭包覆；此配方兼具銅的低電阻特性，並降低自由電子移動時撞擊原子使其移位，進而讓電路失效的電遷移（electromigration）現象，為Intel 3和未來的製程打下基礎。

英特爾也透露不僅在現有解決方案中的最關鍵層使用EUV，且在Intel 4較高互連層中使用EUV，大幅度減少光罩數量和製程步驟。還同步替未來製程節點建立技術領先地位及設備產能，英特爾強調，將在這些製程更廣泛地使用EUV，並導入全球第一款量產型高數值孔徑（High-NA）EUV系統。

台積電、三星、英特爾近期密集揭露先進製程進展，三星搶在上半年最後一天宣布量產3奈米，而台積電第一季法說時也宣告3奈米下半年量產，並在上月中技術論壇透露2奈米技術與支援3奈米FINFLEX技術。3奈米製程節點亞洲兩家公司進入短兵相接，而英特爾雖公布4奈米使用EUV，並為3奈米以下製程打下基礎，更宣布將導入全球第一款量產型高數值孔徑（High-NA）EUV系統。下半年後晶圓製造三巨頭將逐漸進入良率與大量量產能力驟死賽。(審充：葉憶如)

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• Yahoo財經特派記者 呂俊儀：資深財經媒體工作者，曾任採訪團隊主管，專訪過長榮集團創辦人張榮發、鴻海創辦人郭台銘，也歷經台積電創辦人張忠謀退休記者會等大事件，堅持產出最專業、富有洞見的新聞。

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