聯電攜手美商量產新架構記憶體 打入航太應用高密度MRAM裝置

聯電(2303)布局工業、物聯網、航太和儲存應用有新進展,今(13)日宣布攜手MRAM技術創新公司Avalanche Technology推出最新一代自旋轉移矩磁性記憶體(STT-MRAM),採22奈米製程生產,用於航太應用高密度MRAM裝置。

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聯電前瞻發展辦公室暨研究發展副總經理洪圭鈞表示,與Avalanche Technology合作,將此獨立的記憶體解決方案投入生產,是一個重要的里程碑,有助MRAM解決方案商業化。

Avalanche Technology行銷與商務發展副總經理Danny Sabour說明,新產品實現了市場對高耐用性、高可靠性和高密度的各項應用需求,且無需外部電池、錯誤修正代碼(ECC)或耗損平均技術。並預告,將很快啟動進一步提高16Gb單晶片解決方案開發工作。

Avalanche Technology首席技術長兼技術與晶圓專工業務副總經理懷一鳴介紹, 2006年起,公司持續專注於開發創新垂直式磁穿隧接面(pMTJ)結構的STT-MRAM技術。以pMTJ和CMOS設計為基礎,透過與聯電合作,讓最先進的高密度和高性能 STT-MRAM 產品得以問世。

聯電指出,STT-MRAM被公認為在未來單晶片(SOC)系統中取代傳統快閃記憶體(Flash)和靜態隨機存取記憶體(SRAM)以實現統一內存架構,可在 55、40、28 和22奈米製程下實現,並可擴展至14奈米及更先進製程。目前STT-MRAM 產品有超過300項專利和應用組合。(審核:葉憶如)

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  • Yahoo財經特派記者 呂俊儀:資深財經媒體工作者,曾任採訪團隊主管,專訪過長榮集團創辦人張榮發、鴻海創辦人郭台銘,也歷經台積電創辦人張忠謀退休記者會等大事件,堅持產出最專業、富有洞見的新聞。

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