工商時報

聯電劍指南科 強化封裝布局

張瑞益/台北報導
聯電傳有意在南科購置瀚宇彩晶廠房,對此回應,不排除未來在台擴廠。圖/本報資料照片
聯電傳有意在南科購置瀚宇彩晶廠房,對此回應,不排除未來在台擴廠。圖/本報資料照片

近日市場傳出,晶圓代工大廠聯電有意在南科購置瀚宇彩晶廠房。對此,聯電回應表示,對於市場傳言不予評論。不過針對未來台灣產能規劃,公司指出,目前已在新加坡建置2.5D先進封裝產能,並已將部分製程拉回台灣,不排除未來在台擴廠的可能。

未來將依據業務發展與整體策略,搭配既有的晶圓對晶圓鍵合(Wafer to Wafer Bonding)技術,持續在台灣推進更完整的先進封裝解決方案。

聯電目前於南科設有Fab 12A廠,於2002年開始量產,現已導入14奈米製程,提供客戶高階客製化製造。據業界訊息指出,聯電正洽談購置Fab 12A廠對面的彩晶廠房,未來可能規劃用於發展先進封裝產能。

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對於是否有意購置該廠,聯電財務長劉啟東回應,對市場傳聞無法回應,但強調,公司會持續尋找對營運與獲利具正面助益的機會,包括廠房設定、技術合作與新投資案。台灣始終是聯電擴產的重要選項。

針對未來擴產方向,劉啟東指出,聯電將不再侷限於傳統晶圓代工,也將跨足先進封裝等高附加價值領域。目前公司在新加坡已建置2.5D封裝製程,並具備晶圓對晶圓鍵合(Wafer to Wafer Bonding)技術,這是一項可在原子級層面進行晶圓堆疊的關鍵工藝,廣泛應用於3D IC製造。聯電在臺灣的產線,也已具備該製程能力。

劉啟東強調,聯電未來將持續發展整套的先進封裝解決方案,而非單純製程投入,將晶圓代工與封裝整合,朝向完整服務體系邁進。

展望技術布局,聯電指出,現階段晶圓製程仍以12奈米並與英特爾合作為主,未來除邏輯製程外,也將積極投入化合物半導體、橫向特製化等新型材料與應用,拓展多元產品線的競爭優勢。

此外,聯電矽中介層(Interposer)目前月產約6,000片,後市已無新增擴產計畫。

劉啟東表示,未來重點將轉向「更高附加價值的整合型技術」,包括導入Wafer to Wafer Bonding製程,再搭配現有晶圓製造技術,開發更完整的系統級解決方案,並提供客戶一站式服務。

聯電重申,未來在產能配置方面,將秉持全球布局原則,靈活應對產業與政策環境變化,而台灣具備人才與供應鏈優勢,更是研發與生產的主要重心,未來任何具價值的投資與合作機會,公司都將積極評估、審慎布局。

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