美光宣佈為資料中心打造DDR5已上市，支援第4代AMD EPYC處理器

【財訊快報／記者李純君報導】國際記憶體製造大廠的DDR5大戰開打，美光（Nasdaq：MU）更宣佈為資料中心所打造的DDR5記憶體現已上市，並可支援已為全新AMD EPYC 9004系列處理器進行驗證的資料中心。 隨著現代伺服器將更多處理核心裝入CPU，每個CPU核心的記憶體頻寬不斷減少。美光揭露，第4代AMD EPYC處理器與美光DDR5的組合在STREAM測試基準上提供高達2倍的記憶體頻寬，並在特定HPC工作負載上實現高達2倍的性能提升，如計算流體力學（OpenFOAM）、天氣研究和預報（WRF）建模及CP2K分子動力學。

美光資深副總裁暨運算和網路事業部總經理Raj Hazra表示：「美光持續向DDR5轉型，日趨依賴記憶體的演算法需要更強大的記憶體性能及可靠性，才得以從大量數據中獲得洞見資訊。DDR5將系統記憶體能力向前推進，並持續為下一代資料中心基礎架構創造全新價值。」

AMD EPYC產品管理企業副總裁Ram Peddibhotla表示：「第4代AMD EPYC處理器不斷提升現代資料中心工作負載性能的標準，促進客戶資料中心營運轉型。」

以STREAM測試為基準，搭載美光4800 MT/s DDR5的第4代AMD EPYC處理器系統可達到每個插槽378 GB/s的峰值記憶體頻寬，與搭載美光3200 MT/s DDR4的第3代AMD EPYC處理器系統的峰值記憶體頻寬189 GB/s相比，可帶來足足一倍的系統記憶體頻寬成長。

美光也與AMD合作，在搭載美光DDR4的第3代AMD EPYC處理器及搭載美光DDR5的第4代AMD EPYC處理器上針對三種HPC工作負載（OpenFOAM、WRF 和 CP2K）進行評估，並發現搭載美光DDR5的第4代AMD EPYC處理器平台可使OpenFOAM的性能提升 2.4倍、使WRF性能提升2.1倍，使CP2K提升2.03倍。

聯想基礎設施解決方案事業部高效能運算與人工智慧技術副總裁Scott Tease表示：「HPC和AI中的建模、模擬、機器學習工作負載的持續成長，意味著客戶所需的記憶體解決方案能夠極大化有效頻寬。我們透過與美光從開發到驗證階段全面的合作，並將這些高性能需求的工作負載納入考量，造就了次世代平台的誕生，藉由DDR5加速實現記憶體效能的新紀元。」

美光積極投入JEDEC制定DDR5記憶體規格，且為首批向客戶提供DDR5樣品的公司之一。美光的技術應用支援計畫（TEP），使系統設計者能夠提前取得關鍵的內部資源，並能進一步執行DDR5驗證及認證程序。