羅姆與台達電子公司碇基半導體合作開發氮化鎵元件，正式進入量產

【財訊快報／記者張家瑋報導】半導體大廠羅姆（ROHM）與台達電(2308)子公司碇基半導體合作開發氮化鎵元件，終見開花結果、進入量產。羅姆表示，已針對聯合開發650V耐壓氮化鎵HEMT*1「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」開始量產，未來將聚焦於伺服器和AC適配器等各類型電源系統。該新產品是由羅姆與台達電子公司碇基半導體聯合開發而成，羅姆表示，在650V GaN HEMT的元件性能指數方面，達到了業界頂級水準，新產品可大幅降低開關損耗，進一步提高電源系統效率。另外，新產品還內建ESD*3保護元件，將抗靜電能力提高至3.5kV，有助提高應用產品可靠性。不僅如此，新產品還具有GaN HEMT元件的優勢—高速開關工作，有助週邊元件小型化。

電源和馬達的用電量占全世界用電量的一半，而功率元件則是提高電源效率的關鍵，碳化矽和氮化鎵等新世代半導體材料在進一步提升電源效率方面被寄予厚望。去年羅姆即將閘極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產，而今年羅姆更進一步確立了能大幅發揮GaN性能的控制IC技術。

碇基半導體為台達電之子公司，主要專注於第三代半導體氮化鎵（GaN）技術用於開發功率半導體廠商，去年9月中美晶(5483)認購碇基半導體4.56億元現增部分，透過認購部分股權建立策略結盟，以期在快速成長的氮化鎵市場中積極擴大供應鏈。

ChatGPT掀起AI雲端伺服器建置浪潮，先前另一氮化鎵大廠GaN Systems也推出一系列氮化鎵應用於數據中心電源解決方案，展現氮化鎵在效率及提升運營商獲利能力優勢，而二家半導體大廠相繼以氮化鎵技術投入伺服器/資料中心領域，顯見氮化鎵能有效提升電源供應器之功率密度，並大幅減少體積尺寸優勢已獲得確立。