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第三代半導體來電 利機發威
隨著5G基礎建設及電動車快速發展，支援高頻高速且能在高溫環境中運作的氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等第三代寬能隙半導體進入成長爆發期，然而傳統晶片焊接技術出現熱阻抗問題，熱阻較低的燒結銀技術成為最佳解法，利機（3444）奈米燒結銀膠獲國際大廠認證及採用，下半年將放量出貨。
利機因為面板驅動IC相關產品出貨下滑，5月合併營收月減22.5％達0.91億元，較去年同期減少15.0％，累計前五個月合併營收5.03億元，較去年同期成長0.7％。利機表示，5月營收雖然下滑，但因佣金模式占比提升，實質獲利不受影響，今年4月及5月獲利合計已超過去年第二季單季獲利總額。
利機表示，屬佣金交易模式的BT載板相關，持續受惠高效能運算（HPC）和網通應用市況增溫，今年以來每月業績貢獻逐月墊高，成長態勢可維持全年，對整體毛利率顯著提升。封測相關及面板驅動IC相關產品5月業績表現略為下滑，不過包括封裝用銲針（Capillary）及均熱片（Heat Sink）仍有成長，若封測廠產能利用率持續滿載，利機拉貨動能亦可同步向上。
隨著GaN及SiC在電動車電力系統、太陽能逆變器、5G基礎建設、電源快充、低軌道衛星的應用愈趨普及，在高頻、高速、高溫的運作情況下，第三代半導體因晶片尺寸較小，散熱難題成為關鍵。特別是在大功率的應用中，從晶片到散熱片要傳輸龐大功耗，熱阻抗較低的燒結銀技術因為能顯著降低結溫上升，從而增加了可靠性。
利機表示，透過關鍵奈米銀材料自製，獨特的樹脂配方能力，及燒結機制與介面作用的科學基礎研究等核心研發技術，利機已開發出低至175°C的較低燒結溫度、高達200 W/mK更高熱導率、且可加工性好及操作性佳、對各種表面處理基材具有高附著力的燒結銀系列產品，涵蓋了功率半導體封裝領域的所有應用。
利機表示，奈米燒結銀膠可應用在高功率及高散熱需求的半導體元件，亦作為GaN或SiC等第三代半導體封裝主要固晶材料，目前正與中國、美國、歐洲等客戶合作認證中，積極拓展海外市場，可望打入全球半導體關鍵封裝材料供應鏈。
