《科技》AI拱HBM需求升溫三大記憶體廠SOCAMM新戰場

時報資訊

2025年6月15日週日下午10:27

【時報記者葉時安台北報導】DIGITIMES觀察，隨AI應用快速成長，推升高頻寬記憶體(HBM)與新型記憶體模組需求，全球三大記憶體廠商間的競爭格局正出現顯著變化，尤其SK海力士今年首季營收首度超越三星電子，改寫長年以來由三星領先的市場格局。除了次世代HBM技術競爭升溫，未來更將擴展至小型壓縮附加記憶體模組(Small Outline Compression Attached Memory Module，SOCAMM)等新產品，將成為三大記憶體業者的新戰場。然地緣政治風險與政策變動也同步成為影響業者全球布局的關鍵因素。

受惠AI推動，HBM需求強勁，帶動SK海力士(SK Hynix)營業利益率持續改善，並於2025年第一季在DRAM營收上首度超越三星電子(Samsung Electronics)，改寫長年以來由三星領先的市場格局，凸顯AI對記憶體市場競爭重塑的影響力。

隨著固態技術協會(JEDEC)釋出HBM4標準，三大業者的技術競爭將延續至下一世代。未來HBM將須與邏輯晶片(logic die)進行整合，需與晶圓代工夥伴密切協作。SK海力士與美光(Micron)預計持續與台積電(2330)合作；三星則傾向採一站式解決方案，並以先進製程與新封裝技術因應市場需求，惟其量產良率與技術驗證仍具挑戰。

除HBM外，業者亦積極開發SOCAMM等高效能記憶體模組，以支援AI運算。美光已率先量產SOCAMM，SK海力士則處於樣品階段，由於SOCAMM可能搭載於NVIDIA下世代雲端AI伺服器晶片，因此將成為三大記憶體業者的新戰場。

技術以外，地緣政治風險成為記憶體產業重大變數。美光因應美國政策積極擴張本土產能，預估未來美國境內產製DRAM將占其整體產能約四成；SK海力士亦計畫於美國設立HBM封裝廠。雖三星目前未在美國設有記憶體生產基地，其位於德州的新建晶圓代工廠仍具導入相關產線的潛力。

DIGITIMES認為，記憶體作為AI運算不可或缺的核心元件，美國政策導向與在地化趨勢，將是三大業者無法迴避的重要課題。

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