《科技》半導體設備導入台積電實測驗證 沈榮津：供應在地化

【時報-台北電】行政院副院長沈榮津今（2）日出席見證「推動半導體設備在地化跨產業聯盟」正式成軍，致詞表示，政府避免競爭對手透過外商取得半導體業最佳化參數，成為台灣半導體先進製程技術外流的破口，今年協助國內業者開發設備，導入台積電做實測驗證、推動材料供應在地化，可避免關鍵設備與材料受制於外商，不讓技術外流。

沈榮津指出，過去半導體業者將材料配方交給外商代工生產，連同最佳化參數也交出去，不但錢被外商賺走，競爭對手還可能藉透過外商取得這些機密，成為台灣先進製程技術外流的破口。政府今年協助國內業者開發設備，並導入台積電做實測驗證、推動材料供應在地化，就是要避免關鍵設備與材料受制於外商，不讓技術外流未來發展重點包括外商設備製造在地化、先進封裝設備國產化、材料供應在地化、技術自主化讓台灣繼續做全球半導體領頭羊。

沈榮津指稱，今年台積電5奈米進入量產且在南科設3奈米先進製程廠，台積電董事長劉德音上週主持南科3奈米廠房上樑，預計2022量產。最近半導體產業會有2.7兆元投資，最重要是，往後2奈米一個是在新竹四個廠，但一個世代8個廠，還有4個場在整體評估中。往後還有N+1、+2、+3共三個世代的規劃佈局，讓台灣成為半導體重要生產基地。

沈榮津表示，國內半導體設備、材料大廠，紛紛來台設廠或尋求合作廠商，國內石化、材料及精密機械業者，已有機會跨足半導體產業，竹科、中科、南科發展已接近飽和，希望促成第四、第五新發展基地，最重要是帶動區域均衡發展，過去都說重北輕南，跳過台中，現在不會了，可以說一直往下走，有土地就有機會，帶動區域均衡發展，可以分散企業經營風險。

沈榮津指出，政府提升外商設備、製造在地化比例方面，他親自出面邀請三大半導體設備外商，包括荷商艾司摩爾、美國應材、美商科林研發（Lam Research）的在台負責人商談擴大跟台灣設備業者如何強化合作，最重要是針對台廠有機會切入的關鍵模組，包括光罩承載模組、晶圓傳輸模組、電源供應模組培養在地廠商，引進供應鏈體系，擴大在地製造比例。至於先進設備封裝國產化，結合台積電、日月光等製程設備需求，藉由前瞻計畫、A-PLUS計畫、產創平台等計畫，協助台廠透過實測場域驗證，並藉此時機擴散銷售至其他半導體廠。

沈榮津指出，政府今年配合台積產線需求，協助國內業者開發國產前段設備、IC封裝設備，導入台積電實測驗證，也規劃材料供應在地化，這樣可避免受制於外商，國內半導體業者現在將材料配方交給外商代工生產供應，最佳化參數給他們、他還賺我們錢這樣有對嗎？

沈榮津強調，「我們要自己好好把這一塊在台灣建立起來，要建立自主材料供應鏈，避免受制於人」。尤其，日韓貿易摩擦就是材料受制於人，讓日方限制重要半導體材料輸出到我們競爭對手，讓他們國家產業發展受到影響GDP 1.5％。其次是避免技術外流，尤其開發新材料要兩年，競爭對手經由外商一天就可以取得先進製程材料的最佳化配方，這就成為我們先進製程技術外流的破口。

沈榮津指出，政府為協助業者解決半導體人才的問題，政院將重點發展產業領域用比較創新條例，讓業者出錢、政府修法及出力，大家一起來強化重點產業的人力，這種比較創新突破性的作法，突破很多法規限制。行政院將修改產業創新條例，由產業出錢、教育部出力，培育半導體人才。

沈榮津表示，政府希望藉此吸引更多半導體設備材料外商來台投資，協助國內廠商深化自主技術研發，落實在地話政策，預計2030台灣半導體產值從現在2.6兆翻倍到5兆元。（新聞來源：工商即時 沈美幸）