《科技》全球NAND快閃資本支出 今年估增8%創新高

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【時報記者葉時安台北報導】IC Insights預測今年NAND快閃記憶體資本支出將增長8%至299億美元,超過2018年的278億美元的歷史最高記錄。快閃記憶體資本支出在2017年飆升,當時該產業正進行3D NAND轉型,此後每年都超過200億美元。2022年,快閃記憶體的資本支出預計將增至299億美元,其因各大小型供應商將維持適度激昂的支出水平。

IC Insights對半導體行業的資本支出預測,包含其最近發布的2022年麥克林報告(McClean Report)的第一季更新版。更新還包括對IC行業產能、前25位半導體銷售領導者、汽車IC市場的回顧和分析,以及對DRAM、快閃、MCU、MPU、類比IC產品細分市場的詳細預測。

上述預測的299億美元的支出佔2022年整個IC行業資本支出預測1904億美元的16%,僅落後於晶圓代工部門,晶圓代工預計將佔今年行業資本支出的41%。

新建和最近剛升級的NAND快閃記憶體工廠包括三星平澤市(Pyeongtaek)Lines 1和2(也用於DRAM和代工)、三星第二期投資在大陸西安、鎧俠(Kioxia)在日本岩手(Iwate)的Fab 6(Flash Ventures)和Fab K1、美光(Micron)在新加坡(Singapore)的第三家快閃記憶體廠。此外,SK海力士(SK Hynix)也為其M15工廠的剩餘空間配備了NAND flash。

隨著NAND快閃存供應商準備從2022年底到2023年進入200層以上(200-plus)設備競爭,將需要新的晶圓廠和新設備。三星和美光預估將是首批開始量產今年晚些時候的200層設備的公司。兩家公司以及SK海力士目前都在量產176層NAND。三星位於大陸西安的晶圓廠將成為新進NAND兩座晶圓廠的關鍵製造基地,而每個晶圓廠全面投產後每月可生產12萬片晶圓。隨著對企業存儲應用的日益關注,SK海力士預計將在2023年轉移到196層。