《熱門族群》尼克森、富鼎 大啖電動車商機

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【時報-台北電】碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料技術將可望成為未來5G、電動車等主要採用元件,當前鴻海除了打造MIH電動車開放平台之外,還將在甫購買的新竹六吋廠量產MOSFET、SiC及GaN等功率半導體。法人看好,成功切入SiC、GaN等技術的尼克森(3317)及富鼎(8261)等MOSFET廠,後續除了有望拿下鴻海六吋廠產能之外,更可望大啖電動車商機。

SiC、GaN由於具備低功耗、高轉換效能等特性,因此國際IDM大廠已經開始率先量產,先行應用在國防、電動車及資料中心等高階市場,由於後續市場規模有望隨著5G、電動車等終端需求不斷看增,因此國內MOSFET廠也開始投入相關領域,爭搶相關商機。

目前台灣MOSEFT廠當中,尼克森、富鼎等兩家MOSFET在SiC、GaN腳步相對較迅速,其中尼克森已開始投入第二代SiC、GaN等技術研發,最快有望在2022年傳出好消息,至於富鼎在SiC領域上則以蕭特基二極體(Schottky Diode)開發樣品,同樣可望搭上未來第三代半導體商機。

不過,由於相關第三代半導體商機在高階市場早已被IDM大廠相繼卡位,因此台灣MOSFET廠後續要切入5G、電動車市場相對較為困難,但法人看好,MIH電動車開放平台聯盟將有望打破目前窘境,代表尼克森、富鼎將有機會藉此攻入5G、電動車市場。

不僅如此,鴻海先前對外宣告,先前買下的新竹六吋廠將會打造為SiC、GaN等第三代半導體生產基地,預期將在2023年進入量產,但2022年上半年將會率先投入量產,主要針對目前市場上缺少的半導體元件。

目前半導體市場仍呈現供需吃緊狀態,其中富鼎、尼克森所進攻的MOSFET市場亦在八吋產能吃緊情況下,呈現缺貨狀態。(新聞來源 : 工商時報一蘇嘉維/台北報導)