挑戰超高難度!太極切入碳化矽、預計Q4量產

MoneyDJ新聞 2020-02-19 16:13:38 記者 萬惠雯 報導



(4934)挑戰第三代超高難度的半導體材料,取得中山科學研究院的專利授權,切入碳化矽晶圓領域;太董事長謝清福表示,碳化矽是太的第二個產品,代表太在轉型上的努力,同時因碳化矽生產技術更高端先進,公司除成立內部研發團隊外,也引進國外的設備技術來比較,之後得知中山科學研究院也有切入研發,在幾經接觸後達成此次的專利授權,公司預計Q4量產,並直攻6吋產品。

為了達到資源循環利用,尋找全新的綠色新材料是永續科技迫在眉睫的議題。碳化矽即是一種第三代半導體材料,它具備許多特性:高導熱性、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和寬能隙能等,這些特性可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻、微型輕量化以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

國家中山科學研究院之材料暨光電研究所在中科院及經濟部技術處長期支持下,於民國101年起至民國108年依序執行車電綠能、ICT關鍵材料、毫米波關鍵組件等計畫,開發關鍵上游材料碳化矽SiC晶圓相關所需技術,並將豐富成果公告為可專利授權企業項目,太在幾經接觸後,達成此次的專利授權。

總經理謝明凱(附圖右)表示,第一代半導體是矽跟鍺材料、第二代是砷化鎵等,第三代則是以碳化矽和氮化鎵為代表,其中,碳化矽晶圓擁有相當多的優勢,包括高傳導熱性以及元件穩定,適合600伏以上的功率元件以及功率放大器,可以應用在小型元件、超高電壓,特適合高壓高頻的應用,主要應用包括LED照明、UPS、電動車、風力和太陽能發電的變器、高鐵等領域,也瞄準未來的5G通訊產業,預估2023年市場規模將達15億美元。

是在2018年決定投入製造碳化矽領域,著眼於6~8吋的產品開發,目前已有5條生產線,持續做技術開發以及調整,2020年會計劃再增加5億元投資10台長晶設備,在切片部分也會再增加設備,公司也會發展自有的技術以及專利,而公司的廠房共可放置50台的長晶爐。

資料來源-MoneyDJ理財網