意法半導體聯手MACOM 攻射頻矽基氮化鎵有成

意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)和電信、工業、國防和資料中心半導體解決方案供應商MACOM技術解決方案控股有限公司(那斯達克股票代碼:MTSI」)宣布,已成功製造出射頻矽基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型晶片。有鑑於此佳績,意法半導體與MACOM將繼續合作,並加強雙方的合作關係。

射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力。早期世代的射頻功率放大器(Power Amplifier,PA)主要採用橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor,LDMOS)射頻功率技術,氮化鎵(GaN)可為射頻功率放大器帶來更優異的射頻特性及更高的輸出功率,而且GaN可以製造在矽晶圓或碳化矽(SiC)晶圓上。

然而,在高功率應用與射頻矽基氮化鎵對SiC晶圓的競爭下,加上其非主流的半導體製程,射頻矽基氮化鎵的成本可能更高。意法半導體和MACOM正在研發的射頻矽基氮化鎵技術有望提供具有競爭力的性能,透過整合至標準半導體製程中以實現巨大規模的經濟效益。

意法半導體製造的原型晶片和元件已成功達到成本和性能目標,能夠與市面上現有的LDMOS和GaN-on-SiC技術有效競爭,並且即將進入下個重要階段——認證測試與商業化,此為,意法半導體計畫將於2022年達成此一里程碑。因取得這次傲人的進展,意法半導體與MACOM已開始討論進一步擴大研發,加速先進射頻矽基氮化鎵產品上市。

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