工研院攜手台積電開發SOT-MRAM，與陽明交大發表新興磁性記憶體技術

【財訊快報／記者李純君報導】工研院在今（15）日宣布，與晶圓代工龍頭台積電合作開發的自旋軌道扭矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）陣列晶片，以及攜手陽明交通大學研發出工作溫度橫跨近400度之新興磁性記憶體技術，在「超大型積體技術及電路國際會議」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）發表相關論文，可望加速產業躋身下世代記憶體技術領先群，維持臺灣半導體在國際不可或缺的地位。 經濟部技術處指出，製程微縮是在半導體先進製程的重要趨勢，在此趨勢之下，磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）具有可微縮至22奈米以下的潛力，而且擁有高讀寫速度、低耗電，斷電後仍可保持資料特性，特別適用於嵌入式記憶體的新興領域。基於AI人工智慧、5G與AIoT科技加速發展，經濟部技術處多年前即以科技專案支持工研院開發相關技術，更與許多國內產業、學界攜手投入產業化，為臺廠前進新世代記憶體鋪下康莊大道。

工研院電子與光電系統所所長張世杰表示，MRAM有媲美靜態隨機存取記憶體（Static Random Access Memory；SRAM）的寫入、讀取速度，兼具快閃記憶體非揮發性，近年來已成為半導體先進製程、下世代記憶體與運算的新星。記憶體若在高寫入速度的前提下，使用的電壓電流越小，則代表效率越高，工研院攜手台積電共同發表具備高寫入效率與低寫入電壓SOT-MRAM技術，並達成0.4奈秒高速寫入、7兆次讀寫之高耐受度，比歐洲最大的半導體研究機構比利時微電子研究中心（Interuniversity Microelectronics Centre；imec）多一百倍，還有超過10年資料儲存能力等特性的技術，未來可整合成先進製程嵌入式記憶體，在AI人工智慧、車用電子、高效能運算晶片等領域具有極佳的前景。

此外，工研院與長期密切合作的國立陽明交通大學，今年也在VLSI共同發表新興磁性記憶體的高效能運作技術。優化自旋轉移矩磁性記憶體（Spin-Transfer-Torque MRAM；STT-MRAM）的多層膜與元件，提高寫入速度、縮短延遲、降低寫入電流與增高使用次數等特色，在127度到零下269度範圍內，具有穩定且高效能的資料存取能力，工作溫度橫跨近400度的多功能磁性記憶體是首次被實驗驗證，未來在量子電腦、航太領域等前瞻應用與產業上潛力強大。