台灣拚2030矽製程超越全球 跨部會3大計畫領跑

（中央社記者張璦新竹2023年3月22日電）台灣拚2030年矽製程超越全球，跨部會推動次奈米尺度半導體、化合物半導體、關鍵新興晶片設計等3大計畫，各團隊今天齊聚分享研究亮點。國科會主委吳政忠表示，將擴大投入先進製程、新興IC設計應用研發與產業補助。

國科會主辦、經濟部協辦的「2023台灣半導體產學論壇暨半導體領域專案成果發表會」今天在新竹登場，產官學研意見領袖共襄盛舉，論壇觸及半導體人才培育、產學交流、前瞻技術發展等議題。

會中，各學研團隊展現學術及產業應用亮點，聚焦「次奈米尺度的A世代半導體」、「更高頻耐高壓的化合物半導體元件」、「AI晶片運算與通訊晶片設計」等3大領域。

在AI晶片運算與通訊晶片設計方面，國科會指出，關鍵新興晶片研究計畫，聚焦2025年至2030年下世代所需的晶片設計關鍵技術先期布局，帶動下世代運算、通訊晶片技術及相關前瞻晶片系統電子設計自動化（EDA）設計，並培植高階晶片設計研發人才。

國科會表示，計畫自2022年5月啟動以來，已補助11個學研團隊；其中，陽明交通大學教授黃俊達研究團隊，與Google公司合作，針對糖尿病足潰瘍影像分析，開發HarDNet-DFUS模型，於「2022 MICCAIDiabetic Foot Ulcer Challenge」國際競賽中，榮獲冠軍。

同時，國科會指出，清華大學助理教授彭朋瑞，開發新取樣架構技術的傳收機，整體功率消耗2.6pJ/bit，已達與國際IC設計大廠同等水準。

此外，經濟部透過法人研發與補助業者的方式，布局AI晶片異質整合、化合物半導體、半導體設備及材料開發等自主技術。

其中，工研院與陽明交通大學、清華大學、中央大學合作，研發出領先法國大廠的磊晶製程技術，以自有專利的鋁含量階梯式設計，與應力釋放層結構，克服磊晶片變形易碎的問題，磊晶產出率領先法國大廠OMMIC 10%以上；工研院指出，已將此專利技轉給國內廠商，加速推進台灣搶占高頻通訊市場。

國科會2021年起攜手經濟部陸續推動A世代半導體、化合物半導體、關鍵新興晶片設計等計畫，期望在2030年，矽製程超越全球，從製程、人才、技術等方向，對內促進台灣半導體產業鏈共榮互惠，對外減少被國外掌控設備、材料、軟體，以穩固國際戰略地位，擴大資通訊應用市場優勢。