中時財經即時

南亞科Q3營收季增78% 單季EPS 0.5元

工商時報 李娟萍

記憶體大廠南亞科(2408)13日公布2025年第三季自行結算合併財報。受惠於DRAM價格與出貨量雙雙成長,第三季營收達新台幣187億7,900萬元,較上季大增78.4%。其中,DRAM平均售價季增約四十位數百分比,銷售量亦成長中二十位數百分比。

毛利率提升至18.5%,營業淨利11億1,900萬元,營益率6%,營業外收入9億400萬元,稅後淨利15億6,300萬元,淨利率8.3%,單季每股稅後純益(EPS)0.5元。法人指出,隨AI伺服器需求帶動記憶體報價上行,南亞科第四季營運有望續強。

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【時報-台北電】記憶體平均銷售價格(ASP)走升、供應商獲利改善,DRAM與NAND Flash原廠在2026年,將持續增加資本支出,但仍顯保守,對於2026年位元產出成長挹注有限。 DRAM產業資本支出在2025年預估達537億美元,2026年成長至613億美元,年增率14%。 NAND Flash部分,2025年資本支出估為211億美元,2026年則小幅增長至222億美元,年增約5%。 TrendForce指出,美光在DRAM投資積極,2026年資本支出估135億美元、年增23%,主攻1-gamma製程導入以及TSV設備建置。 SK海力士2026年資本支出估205億美元、年增17%,用於M15x的HBM4擴產;三星2026年投入約200億美元、年增11%,聚焦HBM 1C製程滲透及P4L小幅增產。 NAND Flash供應商中,鎧俠/SanDisk預計投入45億美元,年增41%,加速BiCS8生產並投資BiCS9研發。 美光2026年目標是微幅增加NAND Flash產能並專注G9製程和enterprise SSD,預計資本支出年增幅達63%。 相較之下,三星和SK海力士/Soli

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工商時報 ・ 3 天前
創見股價過山車!5根漲停累漲68%後狂摔跌停 仍擋不住DRAM缺貨潮推動「EPS飆3.52元」

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FTNN新聞網 ・ 3 天前

DRAM明年資本支出年增率約14%,有助ASP維持高檔或續漲空間

【財訊快報/記者李純君報導】根據市調單位TrendForce公布的數據顯示,隨著記憶體平均銷售價格(ASP)持續提升,供應商獲利也有所增加之下,DRAM後續的資本支出將會持續上漲,2026年的資本支出年增率約14%。業界分析,有限制增加資本支出增加率,將有助於讓ASP持續維持在高檔,甚至有持續上漲的空間。DRAM產業的投資重心正逐漸轉變,從單純地擴充產能,轉向製程技術升級、高層數堆疊、混合鍵合以及HBM等高附加價值產品。而DRAM產業的資本支出在2025年預計將達到537億美元,預計在2026年進一步成長至613億美元,年增率達14%。在DRAM各供應商中,Micron美光被認為是最積極的廠商,其2026年資本支出預計達135億美元,年增23%,主要專注於1 gamma製程滲透和TSV設備建置。SK hynix海力士的增幅也十分顯著,2026年預計為205億美元,年增17%,以應對M15x的HBM4產能擴張。Samsung三星預計投入200億美元,年增11%,用於HBM的1C製程滲透及小幅增加P4L晶圓產能。TrendForce指出,目前在無塵室空間也有不足供應的情況,檢視所有DRAM

財訊快報 ・ 4 天前

《科技》記憶體產業明年資本支出略保守 位元產出成長挹注有限

【時報記者葉時安台北報導】根據TrendForce調查顯示,隨著記憶體平均銷售價格(ASP)持續提升,供應商獲利也有所增加之下,DRAM與NAND Flash後續的資本支出將會持續上漲,但對於2026年的位元產出成長的挹注有限。DRAM和NAND Flash產業的投資重心正逐漸轉變,從單純地擴充產能,轉向製程技術升級、高層數堆疊、混合鍵合以及HBM等高附加價值產品。 DRAM產業的資本支出在2025年預計將達到537億美元,預計在2026年進一步成長至613億美元,年增率達14%。NAND Flash部分,資本支出在2025年預計為211億美元,2026年預計小幅增長至222億美元,年增約5%。 在DRAM各供應商中,Micron美光被認為是最積極的廠商,其2026年資本支出預計達135億美元,年增23%,主要專注於1 gamma製程滲透和TSV設備建置。SK hynix海力士的增幅也十分顯著,2026年預計為205億美元,年增17%,以應對M15x的HBM4產能擴張。Samsung三星預計投入200億美元,年增11%,用於HBM的1C製程滲透及小幅增加P4L晶圓產能。 TrendFo

時報資訊 ・ 4 天前

《熱門族群》華邦電暖身 出關前夕攻頂 記憶體4檔成交量大

【時報-台北電】美股周五科技股反彈,美光強彈4.17%。韓股記憶體雙雄今日開高強彈,台股記憶體族群買盤不退,DRAM雙雄南亞科(2408)、華邦電(2344)今早跳空開高,華邦電明天出關前,早盤一度強攻漲停。 上周五記憶體股隨台股下殺,但因報價強漲的利多不斷,市場買盤續挺,記憶體股今早成交續熱,包括力積電(6770)今早成交量居市場之冠,旺宏(2337)成交量居第二,南亞科(2408)目前居第四,南茂(8150)目前居第八。 DRAM股華邦電處置至11月17日。本周二(18日)即將出關,今早股價一度亮燈漲停。 由於法人續進貨,DRAM雙雄南亞科、華邦電今日雙雙開高領漲,下游模組廠創見(2451)上周五起被「關禁閉」,今早股價亦反彈。封測廠華東(8110)目前也被「關禁閉」,今早股價開高。 模組廠創見處置期間為11月14日~11月27日。封測廠華東處置期間11月14日~11月27日。 模組廠十銓(4967)早盤一度漲停,但高檔逢賣壓,漲幅收斂至5%。 下游模組廠威剛(3260)今早也隨勢強彈,但盤中漲幅明顯收斂。 封測廠南茂(8150)第三季轉盈,預期第四季整體記憶體動能穩健,看好202

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記憶體缺出大麻煩!中芯趙海軍曝「這些人」噩夢來了 華邦電穩過南亞科?專家揭「2台廠」壟斷輝達供應鏈

大陸晶圓代工廠龍頭中芯國際執行長趙海軍14日在財報會議坦承,由於記憶體大缺貨,客戶不敢對明年第1季下太多訂單,成DRAM圈新話題。專家透露,目前PC品廠正在進行明年的產品規劃,比起螢幕規格、機構設計、外觀配色,DRAM、NAND如何採購反而更關鍵,由於漲價已成長線趨勢,究竟「漲多少、誰吸收」的問題更令品牌廠頭疼。

中時財經即時 ・ 1 天前
記憶體廠2026年資本支出年增11.6% 位元成長有限

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TrendForce 今 (13) 日指出,2026 年 DRAM 與 NAND Flash 供應商的資本支出合計將達 835 億美元,年增 11.6%,但整體位元產出成長仍有限。主要因 DRAM 和 NAND Flash 產業的投資重心正逐漸轉變,

鉅亨網 ・ 4 天前
記憶體產業明年資本支出仍保守 TrendForce:供不應求延續2026年全年

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根據研調機構集邦科技TrendForce調查,隨著記憶體平均銷售價格(ASP)持續提升,供應商獲利也有所增加之下,DRAM與NAND Flash後續的資本支出將會持續上漲,但對於2026年的位元產出成長的挹注有限,預估NAND Flash市場的供不應求狀態預計將延續2026年全年。

Yahoo奇摩股市 ・ 4 天前

《熱門族群》記憶體買盤未歇!DRAM雙雄再創新天價

【時報-台北電】記憶體股買盤續熱,股價續攻高。DRAM雙雄南亞科(2408)、華邦電(2344)續創歷史新天價,下游模組廠創見(2451)、威剛(3260)亦再創新高價。早盤南亞科領軍,封測廠華東(8110)、南茂(8150)也再攀新高價。 記憶體股火熱的買盤未歇,今早以DRAM大廠南亞科(2408)帶量上攻領軍,南亞科目前是成交第六大量個股。 另外,旺宏(2337)、華東分居於第八大及第十大量之成交個股。華東再漲停續創新高最強勢。 記憶體缺貨帶動產品價格上揚,股價及人氣更旺,今早DRAM雙雄南亞科(2408)、華邦電(2344)再創歷史天價,下游模組廠創見(2451)、威剛(3260)也聯袂再創新高價。 記憶體族群持續火熱,除了製造廠南亞科再攀高以外,封測廠華東(8110)、南茂(8150)又強攻漲停,多頭續旺。 記憶體價格全面漲價,從DRAM漲勢,蔓延至NAND Flash、Nor Flash,擴散至SSD、硬碟等儲存裝置。 南茂(8150)法說會釋利多,第三季轉盈,預期第四季整體記憶體動能穩健,看好2026年記憶體是持續好的一年,股價再強攻漲停創本波新高。 華邦電(2344)受惠

時報資訊 ・ 4 天前

《熱門族群》記憶體股多殺多 創見關禁閉摜跌停 華邦下周二出關聚焦

【時報-台北電】美股周四自高點回檔重挫,美光利多不漲收跌3.25%,台股隨美股開低。先前最強勢的記憶體族群賣壓湧現,DRAM雙雄南亞科(2408)、華邦電(2344)開低,下游模組廠創見(2451)今起被「關禁閉」,股價自歷史高點回跌,盤中一度打到跌停失守200元。 記憶體股今早成交續熱,力積電(6770)、南亞科高居成交量第二及第三大,今早熱門股幾乎全回檔,僅封測廠南茂(8150)再攀本波新高價。 模組廠創見短期漲逾5成,遭列入注意股及處置股。創見處置期間為11月14日~11月27日。 封測廠華東(8110)短期大漲6成,也列入注意股及處置股。處置期間11月14日~11月27日。 之前最強勢的DRAM股華邦電處置至11月17日。下周二(18日)將出關,究竟是「愈關愈大尾,或是出關滑鐵盧」仍待市場決定。 記憶體股買盤一直熱,周四股價續攻高。DRAM雙雄南亞科、華邦電周四續創歷史新天價,下游模組廠創見、威剛亦再創新高價。 今早氣氛反轉,呈現多殺多,力積電、南亞科早盤下跌逾4%,但成交量第五名的南茂逆勢再創新高價。 旺宏(2337)成交量仍在前十,但開低走低,跌落短均5日線。 華東因被列處

時報資訊 ・ 3 天前
記憶體資本支出仍保守 集邦:將出現結構性漲價

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EBC東森財經新聞 ・ 4 天前

Q3轉盈 426檔轉機股出頭天

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工商時報 ・ 2 天前

記憶體又傳利多,相關類股大漲表態,華邦電早盤亮燈漲停

【財訊快報/記者李純君報導】在傳出三星電子本月對部分記憶體晶片價格上調60%、CSP業者開始搶貨囤晶片等消息帶動下,今早台股開盤後,記憶體類股強漲,南亞科(2408)最大漲幅超過8.5%、威剛(3260)上漲超過半根漲停、華邦電(2344)漲停、鈺創(5351)也漲超過半根、群聯(8299)上漲超過5%、創見(2451)漲幅超過4%。2026年對DRAM和NAND產業來說均是多頭確立,且因會偶爾缺貨、惜售、漲價等消息傳出,將使得產業走向新高峰。而這波記憶體缺貨,最根本的原因,都取自AI,在DRAM部分,主流在DDR5和HBM,全是美光、三星和SK海力士的天下,台廠沒有參賽權,搶買貨方為財務實力雄厚的CSP廠商,考量AI雲端運算佈建商機延續,明年的DDR5和HBM依舊是炙手可熱、量價齊揚的產品。而台灣在DRAM部分,能取得的是DDR4和DDR3商機,主因美光、三星和SK海力士將產能都挪去生產DDR5和HBM,致使DDR4和DDR3整體產能越來越少,然消費性市場、安控領域等也持續使用DDR4和DDR3,使得DDR4和DDR3供需明顯失衡,而制造端中大廠都退出,讓台灣製造廠商南亞科和華邦電大

財訊快報 ・ 8 小時前

DRAM雙雄連袂殺低逾5%,KOSPI週五急挫3.81%,為15週最慘

【財訊快報/陳孟朔】美國科技股有事,韓股跟著出事!以輝達為首的科技股上日重挫後,今年來最膨風的韓股週五出現十五週來最強的殺氣,在DRAM雙雄SK海力士和三星電子連袂殺低下,連續四天急漲5.5%的韓國綜合股價指數(KOSPI)週五一口氣急瀉159.06點或3.81%,收在近日低的4,011.57點(日低在4011.40點),創下8月1日重挫3.88%以來單日最殺的紀錄,也是目前亞股最重受災戶。美國總統川普簽署臨時撥款法案,正式結束歷來最長一輪聯邦政府停擺,但長時間停擺對經濟與數據發布的傷害已無可挽回,部份數據或永遠消失的同時,市場對聯準會(Fed)12月第三度降息1碼的預期降溫,助「空」軍傾巢而出,美股週四出現五週來最殺行情;道瓊工業指數週四收盤大跌約797點或1.65%。同日,標普、那指、費半依序挫跌1.66%、2.29%和3.72%。科技七雄唯Meta一活口,逆勢小漲0.1%,特斯拉和輝達各重挫6.5%和3.6%。韓國十九大類股只三類逆勢小漲,綜合項目小漲0.75%最旺,紡織成衣和製藥各漲0.41%和0.24%。韓國兩大製藥業者柳韓和塞爾群逆勢漲3.14%和0.51%為韓國三十大權值

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全球人工智慧(AI)基礎建設掀起新一波投資熱潮,中國大陸積極推動記憶體晶片自主化產業布局。除了DRAM與高頻寬記憶體(HBM)等AI關鍵元件之外,大陸記憶體大廠長江存儲宣布在武漢啟動第三座晶圓廠建設計畫,預定在2027年投產,顯示中國大陸正全力押注AI資料中心需求大爆發。

工商時報 ・ 4 天前
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財訊快報 ・ 3 小時前
兩樣情!記憶體漲勢太強衝擊消費市場 研調機構示警:手機、筆電迎雙重壓力

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香港特別行政區政府財政司司長陳茂波於 16 日發文指出,香港經濟持續看好,本地生產毛額(GDP)已連續第 11 季寫下實質年成長的紀錄。其中,今年第三季 GDP 的實質年增幅擴大至 3.8%,創下逾一年半以來的最佳季度表現。 陳茂波司長表示,在中央堅實支持下,香港政府與社會各界

鉅亨網 ・ 8 小時前