《半導體》富鼎6月稅後淨利 年增5.5倍

·2 分鐘 (閱讀時間)

【時報-台北電】MOSFET廠富鼎(8261)公告6月自結財報,稅後淨利0.78億元,相較2020年同期大幅成長550.0%,每股淨利0.96元。法人預期,由於IDM大廠陸續調漲報價,富鼎第三季有望搭上這波漲價風潮,推動獲利更上一層樓。

富鼎由於股價集中交易市場達公佈注意交易資訊標準, 故公布相關財務業務等重大訊息,以利投資人區別瞭解。富鼎20日公告6月自結財報,單月合併營收3.60億元、年成長37.9%,稅前淨利1.01億元、年增621.4%,稅後淨利為0.78億元,相較2020年同期大幅成長550.0%,每股淨利0.96元。

法人指出,晶圓代工、封測產能吃緊,並調漲代工報價,富鼎自2021年起也開始跟進反映成本上升,調漲產品單價,帶動2021年上半年業績出現大幅成長,預期第二季獲利有望相較第一季翻倍成長。

據了解,國際IDM大廠由於車用及5G需求大增,因此將產能大幅移轉至中高階產品市場,空缺出來的中低階市場則由台灣MOSFET廠承接,使台灣MOSFET廠接單動能進入2021年後開始出現明顯成長,使目前庫存水位持續位於歷史低檔,加上代工成本上漲,使MOSFET產品單價開始出現明顯成長。

進入2021年下半年之後,晶圓代工、封測產能吃緊的狀況依舊未解,且代工報價有望持續上調,MOSFET在供給持續吃緊效應下,富鼎有機會持續反映市況並調漲產品單價。

因此法人看好,富鼎第三季除了能夠大啖傳統旺季訂單之外,更可望受惠於MOSFET漲價效益,推動富鼎第三季合併營收持續衝高,獲利亦有機會更上一層樓。

富鼎20日股價下跌4.08%至96.40元,但依舊站在波段高點,三大法人則逢高調節持股,一共賣超1,494張,結束連續兩個交易日買超,觀察技術面,目前雖然日KD已位在高檔,不過周KD仍黃金交叉向上,後續若營運能再傳出好消息,有機會持續推升股價向上。

除此之外,富鼎在碳化矽(SiC)及絕緣柵雙極電晶體(IGBT)等第三代半導體已經展開布局,雖然仍未明顯貢獻業績,不過一旦市場進入爆發成長期,富鼎將有機會搶先大啖訂單。(新聞來源:工商時報─記者蘇嘉維/台北報導)