《半導體》台亞氮化鎵 2023年前送樣

【時報-台北電】台亞(2340)今(23)日召開股東會,新任總經理衣冠君會後受訪時表示,目前積極轉型往半導體產業發展,擴大招募半導體專業經理人及研發人員加入團隊,目標在搶攻次世代感測元件於工業應用、電動車電源、感測晶片等利基市場。除了次世代感測元件,2021年開始籌建積亞半導體(Pro-Asia Semiconductor Corporation)專注開發以碳化矽(SiC)襯底的高功率元件。今年更進一步規劃下半年擴大台亞現有廠房潔淨室區域,投入氮化鎵(GaN)磊晶及元件的研發及生產,預計於2023年前提供樣品供合作客戶進行驗證。

台亞新任總經理衣冠君表示,台亞過去在磊晶及分離器件製造技術上已有相當深厚的基礎,將擴大加強與上游IC設計公司及下游封測及產品的合作,將可於短時間內製作出高電子遷移率電晶體(Power HEMT)樣品,提供給客戶進行驗證。台亞將以氮化鎵為基礎的第三代半導體的功率器件作為主要產品,其相對於矽基的元件可以耐更高的電壓,比起碳化矽的元件能有有更低的功耗,未來將結合氮化鎵與碳化矽,發展出高頻高效的射頻器件及模組。

台亞新總經理衣冠君曾任半導體設備大廠科林研發資深總監、德州儀器、茂德、茂矽等半導體公司,擁有超過20年豐富半導體製造廠管理經驗。台亞半導體公司自2019年由光磊科技更名以後,持續推動產品由光電朝向矽電多元化發展。而為因應市場需求成長,台亞於今年將投入8億元擴產高階產品,包括高性能光耦元件、長波長 VCSEL/LED、與長波長PD等,新產能自今年上半年開始拉升。(新聞來源:工商即時 李淑惠)