《半導體》南茂 記憶體封測滿載延至H1
【時報-台北電】封測廠南茂（8150）記憶體封測產能自去年第四季起已全數滿載，公司並預期滿載情況可一路延續至2026年上半年，顯示產業景氣已明顯回溫。
展望2026年，南茂更進一步看好營運表現，認為從目前接單能見度與主要客戶釋出的訊息來看，記憶體市場至2026年下半年，需求與價格走勢相當明確，尚未出現明顯反轉訊號，市場看好南茂2026年營運可望強勁成長，16日股價並以漲停板創歷史新高。
隨著DDR5滲透率持續提升，測試需求同步升溫。南茂已規劃針對關鍵瓶頸站點進行擴充，2026年DDR5相關測試產能預計增加約1成至2成，並將視客戶實際拉貨節奏進行滾動式調整。南茂指出，DDR5平台轉換效益將在2026年持續發酵，是推動營收與獲利成長的重要動能之一。
南茂表示，除市場法人普遍看好記憶體景氣延續，實際接觸的客戶端，包括DRAM與其他記憶體相關業者，對2025年下半年至2026年上半年市況看法一致偏正向。部分客戶已著手進行局部產能擴充，但整體新產能投放時程多落在2027年之後，代表在新產能正式開出前，供給增幅相對有限。
在稼動率方面，南茂2026年整體稼動率可望持續向上。除DRAM外，亦同步因應Flash等其他記憶體產品的新專案需求進行產能配置，避免營運過度集中於單一產品線。
法人認為，南茂有機會持續受惠於DDR5測試與記憶體封測需求成長，成為相關供應鏈中營運表現相對穩健的指標廠。(新聞來源 : 工商時報一張瑞益／台北報導)
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