力積電將依靠美光精進代工製程 搶攻記憶體市場
受惠AI應用爆發引發記憶體景氣強勢回溫，力積電轉型代工策略再跨大步。繼與美商美光簽署合作意向書後，力積電董事會日前正式通過增資案，計畫針對旗下新竹P3廠現有逾3萬片DRAM生產線進行製程精進，此舉不僅是為了滿足下游IC設計客戶對高容量、高速記憶體的強勁需求，更象徵力積電在AI半導體供應鏈中的戰略地位進一步提升。
力積電目前在新竹 12 吋晶圓廠區擁有每月約5萬片的記憶體產能，現階段主力為2x奈米製程，提供DRAM與Flash代工服務。然而，隨著生成式AI對記憶體頻寬與容量的要求日益嚴苛，全球DRAM市場已呈現長期供不應求的態勢。
為爭取市場時效，力積電決定啟動新一輪投資計畫，配合先前將銅鑼廠售予美光及雙方簽訂的策略合作協議，美光將協助力積電精進新竹P3廠的DRAM技術。該項增資案預計在今年股東常會通過後，將加速展開設備採購作業，目標將現有的 2x 奈米製程向更高階節點推進。
力積電透露，根據與美光簽署的意向書，雙方合作不僅限於技術轉移。力積電將長期提供美光 DRAM 後段先進封裝代工服務，而美光的技術導入將使力積電在 DRAM 代工領域更具競爭優勢。
隨著製程精進，力積電核心研發的 WOW（Wafer-on-Wafer，晶圓堆疊）代工服務將獲得更強大的技術支撐。透過更高規格的 DRAM 晶圓，力積電能協助國內外記憶體設計業者發展更高容量、更快速的高規格產品，進一步滿足大型終端客戶在 AI 運算環境下的客製化需求。
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力積電攻高毛利產品，同步調整產線/機台
MoneyDJ新聞 2026-02-04 10:16:32 數位內容中心 發佈力積電(6770)宣布以18億美元出售苗栗銅鑼P5廠給美光，並與美光簽署合作意向書，換取美光預約高頻寬記憶體(HBM)後段晶圓製造(PWF)產能與技術支援。公司將逐步淘汰低毛利、價格競爭激烈的訂單，並同步進行產線與機台調整，將資源轉向記憶體、電源管理IC、矽中介層及3D堆疊等高附加價值產品。 力積電表示，新竹12吋廠區目前月產記憶體產能約5萬片，主要以2X奈米製程提供DRAM與Flash代工服務；為應對記憶體需求快速擴增，公司已啟動P3廠逾3萬片月產DRAM生產線升級與增資案，並計畫儘速採購新設備，提升製程節點與良率。美光亦承諾協助力積電精進20奈米以下利基型DRAM製程技術，以解決公司現有節點不足，以量產部分DDR4產品的技術瓶頸。 供應鏈指出，力積電正透過機台搬遷與汰舊換新，部分舊型設備已逐步移除或改作他用，短期將出現產能調整期間的產量波動，但公司強調此舉能改善中長期毛利結構。公司同時積極佈局Wafer-on-Wafer（WoW）3D堆疊技術，並已獲美系大客戶驗證，目標鎖定邊緣AI與高頻寬記憶體應用的先進
搶AI門票 力積電與美光策略合作獲HBM後段代工訂單
（中央社記者張建中新竹2026年02月5日電）晶圓代工廠力積電(6770)與美國記憶體廠美光（Micron）策略合作，力積電表示，除銅鑼廠處分予美光，可望有18億美元入帳，同時可望獲得美光HBM後段代工訂單，並將精進DRAM製程技術。力積電下午召開線上法人說明會，法人關注與美光的合作案。力積電總經理朱憲國指出，銅鑼廠將分階段轉讓予美光，加速美光在台灣布局，現有的設備和人員將轉回力積電新竹廠區，力積電則將有18億美元入帳，主要用於降低負債。朱憲國說，力積電納入美光先進封裝供應鏈，雙方建立長期夥伴關係，而美光同意預付設備款，力積電未來將設置專線，提供美光高頻寬記憶體（HBM）後段代工。朱憲國表示，為美光代工業務最快明年才可望貢獻業績，不過，內部訂定目標3年內3D人工智慧（AI）業務可望貢獻20%營收。朱憲國表示，力積電目前以4Gb DDR3產品技術為主，將透過與美光合作精進技術，包括容量及速度都將提升，至於細節則不便多談。
力積電去年Q4每股虧0.16元 目標三年3D AI業務營收貢獻達20%
晶圓代工廠力積電 (6770-TW) 今 (5) 日召開法說會，並公布去年第四季財報，受惠 DRAM 價格上漲與美元升值，單季毛利率轉正，加上認列印度塔塔電子的合作案淨收益 4.9 億元，整體虧損降至 6.54 億元，較前季的虧損 27.28
力積電打入美光HBM供應鏈，獲後段代工訂單
MoneyDJ新聞 2026-02-05 17:36:12 新聞中心 發佈力積電(6770)今(5)日舉辦法說會，針對與美光的策略合作，總經理朱憲國表示，力積電出售銅鑼廠給美光，並獲得美光HBM後段代工訂單，同時美光也將協助力積電精進DRAM製程技術。 朱憲國指出，銅鑼廠以18億美元售出後，將分階段轉讓給美光，相關設備與人員將轉移至新竹廠區，新竹廠區老舊設備將逐步汰換，以提升營運效率，而力積電與美光預計將在農曆年前完成合約簽署，未來力積電將會納入美光先進封裝的供應鏈當中，雙方並將建立長期穩定的夥伴關係，力積電將獲美光HBM後段代工業務訂單，預期該訂單最快明年才會開始貢獻營收。延伸閱讀：台積總裁魏哲家與高市會面 熊本二廠擬改採3奈米力積電啟動DRAM製程精進計畫，售廠充實資金 資料來源-MoneyDJ理財網
需求強勁+報價調升 力積電今年展望趨樂觀
MoneyDJ新聞 2026-02-05 17:27:52 王怡茹 發佈晶圓代工大廠力積電(6770)今(5)日舉辦法說會，公司表示，目前整體財務結構健全，去(2025)年第四季虧損已明顯收斂，並預期透過記憶體價格及調漲晶圓代工價格下，有信心2026年營運達成預定目標。 記憶體市場方面，力積電表示，記憶體市場供需由於結構性失衡，市場供給短缺，客戶於去年第四季投片非常積極，預期供給缺口將持續至2026年下半年，DRAM晶圓代工價格也持續向上拉升，Flash也相似。 力積電進一步說明，由於高端AI伺服器吃下記憶體大廠的高端DRAM產能，相對排擠應用於PC、手機、消費性電子產品的中低階DRAM產能，進一步提升DDR3/DDR4利基型DRAM產品市場售價。 此外，隨著台系大廠退出SLC NAND Flash市場，但網通、工控及消費性電子需求並未因此減少，SLC NAND Flash合約價及現貨價近期因供給減少而出現明顯上漲，目前還在發酵中。NOR Flash方面，隨著客戶驗證告一段落、並自去年底慢慢放量，今年起會逐步提升，而車規產品也在持續驗證中，朝正向發展。 邏輯代工業務部分，力積電表示，今
《半導體》力積電攜美光 攻HBM供應鏈
【時報-台北電】力積電5日召開法人說明會，隨著與美光合作深化，公司正式切入高頻寬記憶體（HBM）後段晶圓製造（PWF）供應鏈，成為本次法說最大亮點。力積電指出，目前3D AI代工業務占整體營收比重約3％，但隨客戶驗證逐步完成與量產放大，目標三年內提升至20％，並成為推動公司轉型的重要引擎。 力積電副總經理暨發言人譚仲民表示，第四季每股虧損0.16元，虧損幅度明顯收斂，顯示營運已回到改善軌道，整體財務結構穩健。公司對2026年展望轉趨樂觀，主要動能來自AI相關需求升溫與產品組合升級。 記憶體代工方面，總經理朱憲國指出，全球記憶體市場仍處結構性供需失衡，供給缺口預估延續至今年下半年。受AI伺服器排擠效應影響，中低階PC與手機應用產能縮減，帶動DDR3、DDR4等成熟製程價格持續上揚；同時韓廠退出SLC NAND市場後，網通、工控與消費電子需求仍強，使NOR與SLC產品價格同步走升，車規產品驗證也呈正向發展。 邏輯代工方面，力積電表示，需求已自谷底回溫。AI伺服器帶動記憶體與邏輯共用機台需求，加上客戶去中化布局與產能調整，使供給端出現缺口，尤其12吋驅動IC與感測器需求自今年1月起明顯轉強，
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力積電5日召開法人說明會，隨著與美光合作深化，公司正式切入高頻寬記憶體（HBM）後段晶圓製造（PWF）供應鏈，成為本次法說最大亮點。力積電指出，目前3D AI代工業務占整體營收比重約3％，但隨客戶驗證逐步完成與量產放大，目標三年內提升至20％，並成為推動公司轉型的重要引擎。
《熱門族群》南亞科1月營收暴增6倍創史高 記憶體一掃陰霾強彈
【時報-台北電】台系DRAM大廠南亞科(2408)挾業績利多上攻，股價震盪反攻10日線。記憶體製造廠旺宏(2337)、力積電(6770)更帶量強漲逾6%，此兩檔皆一口氣站回短均兩線，短多展現奮力一搏的氣勢。 本周一及周二股價急挫後，南亞科今早開高震盪後向上，盤中反攻站回10日均線，並提振記憶體族群多頭氣勢，買盤持續熱絡，旺宏成交量高居第四，力積電第六，華邦電為第七，南亞科為個股成交量第十。 DRAM大廠南亞科公告1月營收153.10億元，月增27.40%，年增高達608%，創單月歷史新高水準。南亞科盤中漲近4%達289元。 另外，晶豪科(3006)1月營收21.46億元，年增129.42%，月減1.13%，維持高檔水準。股價亦隨勢反彈。 華邦電(2344)今日同步反彈。華邦電總經理陳沛銘表示，今年記憶體景氣非常好，第1季合約價漲幅維持2025年第4季水準，今年和2027年既有與新增產能，均已銷售及預定完畢。 整體來看，台系記憶體族群今早皆震盪向上，DRAM雙雄終止連兩天重挫，南亞科率先站上10日均線，短期再大跌的危機暫解除。 另外，記憶體製造廠旺宏、力積電今早更帶量強漲各逾6%、7%，
威剛元月業績大彈跳 連兩個月創歷史新高
受惠DRAM及NAND Flash合約價上漲，記憶體模組廠威剛（3260）1月單月合併營收跳增至84.12億元，年增198.92％、月增44.78％，繼2025年12月之後，連續第二個月刷新單月歷史紀錄。
《半導體》力積電法說報喜股價不挺？法人曝關鍵
【時報-台北電】晶圓代工廠力積電(6770)法說報喜，除去年第4季毛利率轉正為6.4％，每股虧損也縮小為0.16元，為近7季最低，加上記憶體供給缺口預期延續至下半年，今年起逐月調漲記憶體代工價格。 公司對今年營運展望樂觀，美系外資重申正向，觀察記憶體價格已自第4季起漲，DDI與CIS價格元月漲價成功，功率分離元件價格也將自3月起上調，預料產用率將由上季的82%，在未來1~2季提升至90~95%，與美光的交易案估於農曆年後完成。 民營金控一哥旗下投顧則認為，雖力積電站穩記憶體超級循環，但因相關消息已於過去3個月充分反映，因此維持「中立」評級，目標價60元不變。 該投顧特別點出，力積電第4季毛利率由前季的-7.7%轉為6.6%，主因記憶體晶圓價格改善及匯率利多，若排除售予美光的銅鑼P5廠，當季毛利率達到強勁的17%，每股淨損也從第3季的0.65元縮小至0.16元，營運明顯改善。 展望今年，結構性改善及產用率提升，除第4季已達80%以上，記憶體更近100%，邏輯產品則超過80%，為把握上行周期，力積電與美光合作，將製程技術升級至超越現有DDR3水準，目標生產更高密度、更高速的DDR4產品，管
《半導體》2026營運展望正向 力積電震盪後翻揚
【時報記者林資傑台北報導】晶圓代工大廠力積電(6770)法說釋出正向展望，認為2026年營運可望持續好轉，對達成預設目標有高度信心。今（6）日股價震盪加劇，開高後一度翻黑挫跌4.46％，但隨後再度向上翻紅，放量勁揚5.57％至66.3元，截至11點10分維持約4.5％漲勢。不過，三大法人本周迄今賣超達5萬3642張。 力積電2025年第四季自結合併營收124.95億元，季增5.53％、年增12.25％，為近3年高。營業虧損7.19億元，虧損季減達73.22％、年減達63.52％，稅後淨損6.54億元，虧損季減達76.02％、年減達56.44％，每股淨損0.16元，均創近7季最佳。 合計力積電2025年自結合併營收467.3億元、年增4.48％，為近3年高，營業虧損59.6億元、虧損年減25.18％，仍創歷史次低。由於業外顯著轉虧15.16億元，使稅後淨損78.12億元、虧損年增15.28％，每股虧損1.86元，均創上市新低。 觀察力積電本業獲利指標，2025年第四季毛利率6.36％、營益率負5.76％，分創近7季高及近2年半最佳，總經理朱憲國表示，若排除銅鑼P5廠，則毛利率達約17％。
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【時報-台北電】受惠DRAM及NAND Flash合約價上漲，記憶體模組廠威剛（3260）1月單月合併營收跳增至84.12億元，年增198.92％、月增44.78％，繼2025年12月之後，連續第二個月刷新單月歷史紀錄。 威剛董事長陳立白表示，記憶體三大原廠包括三星、SK海力士及美光已通知，2026年的產能已銷售一空，全年缺貨態勢確立，DRAM與NAND Flash的價格無法回頭，更沒有跌價的問題。 為滿足客戶需求及因應缺貨漲價效應，該公司將繼續加速採購力道，期望在2026年第一季底能將庫存水位，拉升至300億元以上。且在提前採購備貨的優勢下，該公司看好第一季毛利率表現可維持高檔水準。 陳立白進一步指出，雖然部分上游原廠為因應供給吃緊的市況，開始啟動擴產計畫，但新增產能並非一蹴可幾，預計最快也要至2027年下半年才能看到實際產出。 然而，目前AI應用深化所推升的記憶體需求仍持續增長中，從大語言模型訓練到推論、從雲端運算拓展至邊緣應用，甚至機器人、自動駕駛汽車等，都可望繼續推高記憶體需求。 威剛2026年1月合併營收為84.12億元，年增198.92％、月增44.78％，單月DRAM營收
需求轉強，力積電代工缺口加劇！8吋、12吋全線漲價在即，資本支出續增
【財訊快報／記者李純君報導】力積電(6770)今日召開法說會，針對產業發展與自家近況，揭露幾大重點，其一，DRAM、Flash代工價格持續上揚，第二，邏輯代工產線自今年1月起需求明顯回溫，未來幾季8吋與12吋邏輯代工，需求動能都將顯著轉強，價格也將上揚，第三，2月起在整體功率元件端的供給也已經明顯吃緊。首先在記憶體部分，力積電總經理朱憲國表示，整體產業的供給缺口預期將延續至2026年下半年，此外，自家的DRAM、Flash晶圓代工價格持續上升，且力積電的NOR Flash部分，去年底開始放量。邏輯代工產品線部分，自2026年1月起需求明顯回升，且因與記憶體共用機台，加上銅鑼廠出售給美光，已經造成供應端缺口，尤其在12吋驅動晶片、Sensor都自1月起漲價。整體晶圓邏輯代工產品線，明顯自谷底回溫，未來幾季無論是8吋或12吋邏輯代工，需求動能都將顯著轉強。在電源管理IC端，8吋IGBT大型客戶下修，但在AI伺服器與邊緣運算帶動下，整體功率元件需求不減反增，尤其自2月起，力積電產能已無法完全滿足客戶需求，供給明顯吃緊。此外，公司正評估將部分竹南廠的8吋無塵室改裝為12吋，此舉恐會導致供給更緊
記憶體又出事？大陸DRAM、NAND一哥逆襲「暴力擴產」 量產時間曝光
在全球記憶體供需失衡、價格持續攀升之際，中國大陸記憶體雙雄正發動逆襲，以罕見的規模加速擴充產能，引發市場高度關注。
力積電：邏輯代工產線谷底翻身 1月調漲驅動IC價格
（中央社記者張建中新竹2026年2月5日電）晶圓代工廠力積電(6770)今天表示，記憶體代工產線供需失衡，連帶排擠邏輯產能，邏輯代工產品線自谷底翻身，產能將供不應求，1月已調漲驅動IC及感測器代工價，預計3月調漲8吋功率元件代工價。力積電下午召開線上法人說明會，公布2025年第4季營運結果。受惠動態隨機存取記憶體（DRAM）價格上揚，力積電2025年第4季營收124.95億元，季增6%，毛利率6%，稅後淨損6.54億元，每股虧損0.16元。力積電副總經理譚仲民指出，2025年第4季營運朝向正向改善，出貨量41.5萬片約當12吋晶圓，產能利用率82%。力積電2025年總營收1501.98億元，增加8%，毛損率3%，稅後淨損78.13億元，每股虧損1.86元。朱憲國說，記憶體代工產品線出現供需結構性失衡情況，客戶投片積極，預期缺口可能延續到下半年。高階AI伺服器排擠消費應用的中低端產品，帶動DDR3及DDR4需求提升。至於快閃記憶體方面，SLC儲存型快閃記憶體（NAND Flash）價格上漲，編碼型快閃記憶體（NORFlash）客戶驗證已告一段落，去年底逐步放量，預期今年可望進一步提升。邏
傳長鑫破盤價搶市 記憶體股急殺
在記憶體價格大漲之際，卻傳出陸廠殺價搶市的消息，記憶體市場正呈現多空交戰之勢。外媒報導，中國DRAM大廠長鑫存儲對32GB DDR4-3200 ECC記憶體模組祭出138美元的「破盤價」，此定價遠低於目前國際市場300～400美元的行情。
美光重挫！華邦電力積電等記憶體全走弱 分析師：不急著搶短
美光股價重挫，拖累記憶體族群全面走弱，今（5）日盤中包括華邦電（2344）、南亞科（2408）以及華東（8110）重跌逾半根停板；群聯（8299）、力積電（6770）等10餘檔全面下挫。分析師表示，記憶體族群基本面雖仍強勁，但先前漲幅已大，市場進入利多提前反應的挑剔階段，現階段不宜急著搶短。
美光週三股價重挫近一成，市場憂慮產能擴張與資本支出衝擊現金流
【財訊快報／陳孟朔】記憶體晶片大廠美光科技(Micron，美股代碼MU)股價繼上日急吐4.19%後，週三再追低40.04美元或9.55%，報379.40美元為1月20日以來最低。受此拖累，美股記憶體概念股全線下挫。儘管美光在2026會計年度第一財季(截至2025年11月)交出營收年增57%至136.4億美元的歷史新高成績單，但投資人正重新評估其高昂的資本支出計畫與短期估值壓力。美光連續兩天暴跌近14%，主要源於市場對其大規模擴產計畫的擔憂。美光先前宣布將2026財年的資本支出上調至約200億美元，並額外投入70億美元建設高頻寬記憶體(HBM)設施。雖然執行長梅羅特拉(Sanjay Mehrotra)強調AI驅動的DRAM需求極度吃緊，且訂單已排至2026年以後，但投資人轉而關注這些巨額投入對自由現金流的侵蝕。分析師指出，美光股價在過去一年已累積巨大漲幅，目前交易價格相較於歷史區間處於高位，任何關於產能過剩或毛利率受壓的風吹草動，都容易引發獲利回吐的連鎖反應。此外，市場近期流傳「Stargate」(星門)等大型AI基礎設施計畫面臨挑戰的傳聞，亦打擊記憶體族群的信心。美光作為輝達(Nvid
《熱門族群》台積電「救全村」 記憶體直線拉升 力積電爆量翻紅
【時報-台北電】記憶體族群今早開盤隨台股下壓，但隨著台積電股價上攻(2330)帶動指數從重挫逾500點一路彈升翻紅，市場信心重新被點燃，低接買盤帶動力積電(6770)翻紅，下游模組廠宇瞻(8271)逆勢大漲。 力積電周四召開法人說明會，隨著與美光合作深化，公司正式切入高頻寬記憶體（HBM）後段晶圓製造（PWF）供應鏈，成為本次法說最大亮點。 力積電今年營運將明顯轉好，成為第二大量成交個股，股價盤中翻紅漲逾4%，股價震盪幅度逾10%，並重回多頭格局。 因距離農曆年前只剩下四個交易日，獲利了結賣壓湧現，記憶體族群今早股價再度全面向下，南亞科重挫並摜破月線，但買盤進場，股價跌幅收斂到1%以內，股價震盪幅度逾9%。 記憶體製造廠今早仍有三檔進入前三大量成交股，力積電高居第二，華邦電(2344)、旺宏(2337)、南亞科(2408)也都擠進前十成交量個股，低接買盤積極，力積電翻紅上攻，其他個股盤中跌幅收斂至2%之內，僅旺宏因漲多賣壓偏重。 華邦電今早股價一度跌破百元，落至波段新低。公司即將於下周二(10日)舉行法說會。 下游模組廠威剛(3260)公布1月營收持續創新高，但利多出盡，今早一度下殺跌
《半導體》記憶體、邏輯產能供不應求 力積電2026年營運信心足
【時報記者林資傑台北報導】晶圓代工大廠力積電(6770)今（5）日召開線上法說，總經理朱憲國表示，儘管因應銅鑼廠出售的產線移轉可能使出貨量減少，但由於產能持續供不應求，且可透過記憶體及晶圓代工價格上漲彌補，並未調整先前已敲定的營運目標，對2026年營運達陣信心相當高。 記憶體代工業務方面，朱憲國表示，記憶體市場供需因結構性失衡，在市場供給吃緊氛圍下，客戶自去年第四季起投片相當積極，預期供給缺口將一路延續至2026年下半年，帶動DRAM與Flash晶圓代工價格持續上揚。 其中，高端AI伺服器大量占用記憶體大廠先進DRAM產能，排擠原供應PC、手機及消費電子產品的中低階DRAM，推升DDR3/DDR4等利基型產品價格。NOR Flash方面，客戶驗證已大致完成，自去年底開始放量，今年出貨將逐步提升，車用產品也持續進行驗證中。 此外，台系大廠退出SLC NAND Flash市場，但網通、工控及消費性電子等應用需求未減，朱憲國指出，近期合約價和現貨價近期皆明顯上漲、且持續發酵。 邏輯代工業務方面，朱憲國指出，因AI伺服器記憶體需求強勁，共用機台對邏輯產能造成排擠效應，加上客戶去中化布局逐步發酵