力旺RRAM通過聯電22奈米低功耗可靠度驗證 下一步鎖定車用

力旺(3529)今(28)日宣布可變電阻式記憶體(RRAM)矽智財已通過聯電(2303)22奈米超低功耗可靠度驗證,為聯電AIoT與行動通訊應用平台提供更多元嵌入式記憶體解決方案,未來雙方將持續合作開發車用規格的RRAM。

聯電26日召開法說會,共同總經理王石坦言,第四季無法避免受到半導體業庫存調整影響,但會與客戶密切合作,以因應當前市場情況。資料照/聯電提供
力旺今(28)日宣布可變電阻式記憶體(RRAM)矽智財已通過聯電(2303)22奈米超低功耗可靠度驗證,雙方將鎖定車用領域進一步合作。資料照/聯電提供

力旺提供的8Mb RRAM IP具有額外的16Kb資訊儲存區塊和內部修復與錯誤偵測/修正等關鍵功能,可用於IoT設備中的微控制器和智慧電源管理IC的編碼儲存,還可以支援人工智慧之記憶體內運算架構。聯電提供22奈米的0.8V/2.5V RRAM平台,使用較少的光罩層數、較短的生產週期和更容易與BCD、高壓等特殊製程整合的優勢。

聯電技術開發部副總徐世杰表示,AIoT應用不斷拓展,市場對低功耗非揮發性記憶體需求逐漸增加。力旺的IP成功在聯電22奈米RRAM平台完成驗證,為客戶在開發下一代產品時提供更強大的記憶體解決方案。未來將持續強化AIoT與車用市場的嵌入式記憶體方案。

力旺技術長暨第二事業群總經理林慶源則說,對40奈米、22奈米和高階製程而言,RRAM是不可或缺的多次編程嵌入式記憶體選項。力旺下一個RRAM開發目標是對應汽車應用需求,在22奈米 0.8V/2.5V 平台實現更高的儲存密度(16Mb)、更快的速度、更高的寫入溫度耐受度和持續提升的覆寫能力。

林慶源還指出,力旺繼續推進在0.8V/1.8V ULP上的開發。RRAM將成為主流技術平台上最具成本效益的eFlash解決方案,可擴展至更多製程節點。

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力旺電子的RRAM IP具有1萬次覆寫能力和長達10年的數據保留,可承受高達105度的高溫。為方便用戶,這款RRAM IP設計具備友善的介面、完整的使用者模式和測試模式,並可在0.8V/2.5V標稱雙電壓接口下進行編程。

由於RRAM不需對前端製程做額外調整,並採用低溫後端製程,幾乎不會產生額外的熱預算,備受市場期待。與分離閘快閃記憶體(split-gate Flash)相比,RRAM具有相對簡單的結構、使用較少層的光罩、較友善的製程和更高的CMOS製程兼容性。在對性能要求相對嚴格的汽車應用中,RRAM與MRAM相比,具有更佳的抗磁能力。

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  • Yahoo財經特派記者 呂俊儀:資深財經媒體工作者,曾任採訪團隊主管,專訪過長榮集團創辦人張榮發、鴻海創辦人郭台銘,也歷經台積電創辦人張忠謀退休記者會等大事件,堅持產出最專業、富有洞見的新聞。