個股：華邦電攻聯網商機，替高通打造強化數據機平台記憶體QspiNAND Flash

李純君

【財訊快報／記者李純君報導】記憶體華邦電子(2344)宣佈專為Qualcomm® 9205 LTE數據機，打造擁有新功能的QspiNAND Flash；華邦電提到，1.8V 512Mb (64MB) QspiNAND Flash，為新型行動網路NB-IoT模組的設計人員提供正確的儲存容量，此舉為華邦電攜手高通攜手搶攻物聯網等龐大的聯網商機。

WebFeet Research總裁Alan Niebel表示：「到了2020年，物聯網的規模將成長到500億個連網裝置，未來幾年Quad SPI-NAND的採用率可能會增加4到5倍，華邦的 1.8V QspiNAND Flash相當適合汽車及IoT產業使用。NB-IoT已經蓄勢待發，在全新的連網世界中茁壯成長，2023年之前出貨量可望達到全球6億8,500萬個裝置。」

華邦電美國分公司快閃記憶體事業群行銷部門總監Syed S. Hussain表示：「華邦很榮幸能全心投入創新及產品差異化，設計出QspiNAND Flash KGD解決方案，並獲得Qualcomm Technologies採用在Qualcomm 9205 LTE主控芯片中。我們會持續與Qualcomm Technologies密切合作開發記憶體元件，打造適合IoT應用的次世代LTE 數據機解決方案。」

華邦立足於傳統QSPI-NOR Flash，並進軍QSPI-NAND Flash領域，客戶可根據自身需求，自由選擇編碼儲存元件，以最低成本擴充規模。使用相同的6針腳訊號及 QSPI指令集提供SLC NAND Flash的大容量，並採用104MHz 讀取速度的全新的Continuous Read功能，效能毫不減損。

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Qualcomm Europe Inc.產品管理副總裁Vieri Vanghi表示：「Qualcomm Technologies 已對華邦的QspiNAND Flash 進行各種測試及驗證，目前以堆疊 KGD 解決方案形式運用於Qualcomm 9205 LTE 數據機，讓OEM客戶能打造出外型極為精巧的系統。我們很榮幸能與華邦維持長久的合作關係，期望雙方能繼續共同提供頂尖的IoT技術解決方案。」

W25N QspiNAND Flash 系列裝置採用節省空間的8針腳封裝，以往的SLC NAND Flash無法做到這一點。W25N512GW為512Mb 記憶體，陣列分為32,768個可編程頁面，每頁面為2,112位元組。W25N512GW提供全新的Continuous Read模式，可利用單一讀取指令高效存取整個記憶體陣列，是編碼映射(code shadowing)應用的理想選擇。

104MHz的時脈速度，可在使用快速讀取 Dual/Quad I/O指令時，達到相當於 416MHz (104MHz x 4) 速度的 Quad I/O效能。晶片內建不良區塊管理功能，讓 NAND Flash更容易管理。

為滿足全球對大容量解決方案持續成長的需求，華邦 QspiNAND Flash在台灣台中的12吋晶圓廠進行製造。華邦正在擴展產能，以因應及確保支援汽車與IoT產業因全新業務帶來的預期成長。

華邦快閃記憶體技術總監 J.W. Park表示：「SpiFlash系列在加入QspiNAND Flash 產品線後，有利於現有的 QSPI-NOR Flash 及 Parallel NAND Flash 轉換為 QspiNAND Flash。」「華邦與客戶工程團隊合作開發這款全新的 512Mb QspiNAND Flash，在符合成本效益的設計原則下，同樣提供優異的效能。」

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