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個股:力旺(3529)NeoFuse矽智財成功導入聯電28奈米HV製程,搶攻OLED市場

2020/01/20 14:50 財訊快報 李純君

【財訊快報/記者李純君報導】力旺電子(3529)宣佈,一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse已成功導入聯電28奈米高壓(HV)製程,強攻有機發光二極體(OLED)市場,關鍵客戶已經完成設計定案(TapeOut)並準備量產。

  力旺業務發展中心副總何明洲表示,繼之前與聯電合作的高壓製程平台的各式解決方案,我們非常開心可以與聯電進一步在28奈米高壓製程的合作,因應OLED市場的需求,為客戶帶來最大的價值。

  聯電矽智財研發暨設計支援處處長林子惠也表示,力旺NeoFuse矽智財與聯電28奈米高壓製程的合作,使我們的客戶得以客製化IC以符合OLED市場的高規需求。他更補充,不管是之前的55奈米、40奈米到現在的28奈米高壓製程,聯電與力旺的合作成果都是非常正面的,客戶在各種顯示器應用市場大有斬獲,其中當然也包括OLED市場。

  高階手機配備OLED顯示器已然成為趨勢,對小尺寸顯示器驅動晶片(SDDI)效能要求亦更高,這樣的需求也顯示在製程平台的選擇上,OLED關鍵客戶逐漸從55奈米或40奈米往更先進的28奈米高壓製程靠攏。

  28奈米高壓製程可使高效能顯示器引擎的複雜運算能力發揮最大功能,提供OLED顯示器驅動晶片更快的資料存取速度,更高容量的靜態隨機存取記憶體(SRAM)及更好的功耗,同時達到高畫質與省電的目的。

  聯電在2019年的小尺寸顯示器驅動晶片(SDDI)量產晶圓出貨量為全球之冠,其28奈米後閘式(Gate-Last)HKMG製程具備優越管理漏電功耗與動態功率表現,可以提升行動裝置的電池壽命,以此為基礎,其28奈米高壓製程提供業界最小的靜態隨機存取記憶體(SRAM)記憶單位(Bit-cell)以減少晶片整體面積。

  力旺是世界領導之邏輯非揮發性記憶體矽智財廠商,其NeoFuse矽智財為各種類型之應用提供低功耗、高可靠度、高安全性之解決方案,已經廣泛佈建於世界各大晶圓廠,從0.15um製程至先進製程節點均已佈建,未來也將繼續與晶圓廠緊密合作。

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