中國記憶體晶片逆襲!長江存儲270層技術震撼業界 南韓三星、日本鎧俠坐立不安
中國在記憶體領域正展現出強勁的發展勢頭,引發全球矚目,長江存儲科技作為業內新興力量,取得了令人矚目的成就,其新型儲存半導體堆疊層數約達 270 層,接近三星電子水準,這項技術突破讓競爭對手驚嘆「沒想到技術水平提高到這種程度」。
在中美對立的大背景下,長江存儲借助中國政府鼓勵使用國產半導體的優惠政策,迅速提昇技術實力,NAND 銷售份額首次超過全球 10%。
根據 Counterpoint 數據,長江存儲今年首季在全球 NAND 出貨量中所佔份額首次達到 10%,第三季年增率更成長 4 個百分點至 13%,直逼世界第 4 的美國美光科技。
以中國品牌的筆電和智慧手機為中心,長江存儲產品獲採用數量不斷增加,全年市佔率可望超過一成。儘管目前銷售額僅佔全球 8%。
長江存儲目標是在 2026 年底前獲得 15% 的銷售份額,推動武漢周邊工廠投資,完成後將佔全球供應量 2 成左右,超過日本鎧俠,直逼南韓 SK 海力士。
在 DRAM 領域,長鑫存儲今年第三季市佔率 8%,居世界第 4 位,較 2024 年同期提升 2 個百分點,在中國擁有約 40% 市佔率,但在高頻寬記憶體 (HBM) 技術方面落後 5 年。
中國記憶體企業在價格上優勢明顯,NAND 比其他國家生產的便宜一到兩成左右,但由於美國 2022 年將長江儲存列為限制對象,日本企業也因擔憂未積極採用。
但中國在其他領域憑藉價格競爭力獲得海外市場。國際半導體產業協會分析指出,即便受到美國限制,中國廠商良品率仍在增加。若價差持續,採用中國記憶體恐成必然趨勢。
此外,南韓記憶體晶片廠商雖在 HBM 市場佔優,但原料與設備依賴海外,且缺乏混合鍵結核心專利,面臨專利訴訟風險,而中國相關專利快速成長,三星已跟長江存儲簽署相關專利授權協議。
韓國智慧財產振興院 (KIPRO) 研究員 Kim In-soo 上月底受訪時說,雖然南韓記憶體晶片廠商在製造與堆疊 HBM 方面表現優異,並佔據大半 HBM 市場,但原物料與設備卻過度依賴海外公司,加上南韓企業缺乏與 HBM 相關的混合認證讓他們面臨專利訴訟風險。
他並指出,雖然南韓持有第二大規模 HBM 相關專利,但品質與影響力「低於平均水準」,因為南韓在核心設備與材料上仰賴進口,對南韓企業構成風險,相關公司目前可能仍傾向通過不公開的協商方式簽訂授權協定,但從 2026 年混合鍵合開始商業化後,這些問題可能最終演變成訴訟。
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