中國晶片設計陷瓶頸？專家指美國制裁使中國沒有高階技術

中國晶片要追上美國可能還需要一些時間。據《路透》與《彭博》，在台積電 (2330-TW) 與三星率先進入 2 奈米晶片量產階段，並將產能優先供應蘋果與輝達等國際大廠使用的情況下，中國企業正因無法取得極紫外光微影（EUV）設備，晶片技術仍卡在 7 奈米節點多年。

根據產業專家分析，中國晶片設計仍以通訊與消費電子為主，占比高達 68%，而 AI 晶片設計僅占 11%，顯示中國在高階晶片設計領域尚未實現技術突破。

國際技術機構 Techinsights 拆解中國晶片後也發現，其製造流程仍停留在 2023 年的 7 奈米流程，只是在設計上面有一定程度的優化調整。而昇騰 AI 晶片整體的製造製程也是被卡死在 7 奈米節點，產能和良率還需要進一步提升。

儘管中國國產曝光機的研發正在穩定推進當中，但是距離商業化發展還需要一段時間，進口的 EUV 設備又被美國完全阻斷，使中國企業無法繼續量產更高水準晶片。

美國對中國晶片發展的壓制

在美國的層層技術封鎖下，中國晶片技術升級進度緩慢。

從美國總統川普第一任政府起，至前總統拜登，美國陸續出台晶片禁令、出口管制、技術審查、限制關鍵設備供應等措施，意圖全面抑止中國半導體崛起。

拜登政府更進一步推動《晶片法案》，以補貼方式吸引台積電、三星等全球大廠赴美建廠，建立美國本土先進製程供應鏈，並加強對中國的晶片技術封鎖。

美方對中國不僅封鎖先進製程晶片，2024 年 12 月更依據 301 條款，對中國成熟製程晶片展開調查，意圖全面壓縮中國在全球晶片產業中的發展空間。

中國晶片仍漸漸突破重圍

值得注意的是，儘管面臨壓力，中國仍透過早期自艾司摩爾 (ASML-US) 取得的深紫外光曝光機（DUV），配合多重圖案化技術，成功製造出具備 7 奈米特性的國產晶片，並由華為首發商用，顯示其具備在封鎖下技術自立的能力。

美國商務部長雷蒙多（Gina Raimondo）在接受《華爾街日報》專訪更是坦言，美國制裁雖然拖慢了中國晶片技術發展，但並未徹底阻止其取得先進晶片。

根據中國半導體協會最新數據，2024 年中國晶片進口總額突破人民幣 5000 億元，年增 14.8%；出口額超過 1 萬億元，年增 20.3%，使中國成為全球最大半導體單一消費市場。

在《2024 年全球半導體企業百強競爭力報告》中，美國共有 32 家企業入榜，中國亦有 23 家上榜。

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