世界先進0.35微米650V氮化鎵製程 邁入量產

8吋晶圓代工廠世界先進（5347）22日宣布，其領先的8吋0.35微米650V的新基底高電壓氮化鎵製程（GaN-on-QST），已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證，正式進入量產，為晶圓代工特殊製程領域首家量產此技術的廠商。

世界先進於2018年以Qromis基板技術（簡稱QST）進行8吋QST基板的0.35微米650V電壓的GaN-on-QST製程開發，於今年第一季開發完成，於第四季成功量產，世界先進同時已和海內外IDM廠及IC設計公司展開合作。

世界先進表示，QST基板相較於以矽（Si）作為基板，具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹係數（CTE），在製程中堆疊氮化鎵的同時，也能降低翹曲（warpage）破片，更有利於實現量產。

世界先進0.35微米650V電壓GaN-on-QST製程能與既有的8吋矽晶圓機台設備在開發與生產上相互配合使用，以達最佳生產效率及良率。根據客戶端的系統驗證結果，世界先進提供的氮化鎵晶圓於快充市場的應用上，針對65W以上的快充產品，其系統效率已達世界領先的水準。此外，基於QST基板的良好散熱特性，在整體快充方案效能上，世界先進提供的氮化鎵晶圓具有更優良的散熱表現。

世界先進營運長尉濟時表示，世界先進身為特殊積體電路製造服務的領導廠商，不斷精進製程技術，以提供客戶最具效益的完整解決方案及高附加價值的服務。世界先進的0.35微米650V電壓GaN-on-QST製程具備效能及可靠性優勢，不僅提供客戶更優化的積體電路設計選擇，亦協助提升客戶產品的競爭力。

世界先進0.35微米650V電壓GaN-on-QST製程除了650V的元件選擇之外，也提供內建靜電保護元件（ESD），客戶得以更便利的進行設計選擇。此外，該製程除具備更優異的可靠性與信賴性，針對超過1000V更高電壓的擴充性，世界先進也已經與部分客戶展開合作，以滿足客戶的產品需求。

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