世界先進0.35微米650V氮化鎵製程 邁入量產

8吋晶圓代工廠世界先進(5347)22日宣布,其領先的8吋0.35微米650V的新基底高電壓氮化鎵製程(GaN-on-QST),已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證,正式進入量產,為晶圓代工特殊製程領域首家量產此技術的廠商。

世界先進於2018年以Qromis基板技術(簡稱QST)進行8吋QST基板的0.35微米650V電壓的GaN-on-QST製程開發,於今年第一季開發完成,於第四季成功量產,世界先進同時已和海內外IDM廠及IC設計公司展開合作。

世界先進表示,QST基板相較於以矽(Si)作為基板,具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹係數(CTE),在製程中堆疊氮化鎵的同時,也能降低翹曲(warpage)破片,更有利於實現量產。

世界先進0.35微米650V電壓GaN-on-QST製程能與既有的8吋矽晶圓機台設備在開發與生產上相互配合使用,以達最佳生產效率及良率。根據客戶端的系統驗證結果,世界先進提供的氮化鎵晶圓於快充市場的應用上,針對65W以上的快充產品,其系統效率已達世界領先的水準。此外,基於QST基板的良好散熱特性,在整體快充方案效能上,世界先進提供的氮化鎵晶圓具有更優良的散熱表現。

世界先進營運長尉濟時表示,世界先進身為特殊積體電路製造服務的領導廠商,不斷精進製程技術,以提供客戶最具效益的完整解決方案及高附加價值的服務。世界先進的0.35微米650V電壓GaN-on-QST製程具備效能及可靠性優勢,不僅提供客戶更優化的積體電路設計選擇,亦協助提升客戶產品的競爭力。

世界先進0.35微米650V電壓GaN-on-QST製程除了650V的元件選擇之外,也提供內建靜電保護元件(ESD),客戶得以更便利的進行設計選擇。此外,該製程除具備更優異的可靠性與信賴性,針對超過1000V更高電壓的擴充性,世界先進也已經與部分客戶展開合作,以滿足客戶的產品需求。

更多中時新聞網報導
台幣暴力升值 這群人竟是外資幫凶 匯價33元無望?專家點頭...除非1事發生
有偏財運卻存不了錢4生肖 屬鼠得靠正財發達
航運股不妙!SCFI連22崩 運價止瀉只能靠「救命稻草」