下一代半導體研發園區動工 三星擬投資20兆韓元

三星電子副會長李在鎔19日出席在京畿道器興園區舉行的下一代半導體研發(R&D)園區動工儀式。三星電子計劃到2028年對該園區投資約20兆韓元(約台幣4954億元)。

這是三星電子自2014年以來時隔8年在國內新建研發中心,該研發園區總面積約10.9萬平方公尺,將主管NAND快閃記憶體、晶圓代工、系統新片等新技術研發。三星電子相關人士表示,若建成具備尖端設備的研發中心,有望縮短新一代產品研發時間,提升半導體品質。

專家指出,李在鎔出席動工儀式意在凸顯其對技術的高度重視,強調只有拉開「超級差距」才能生存下來。

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