三星電子8層版本HBM3E記憶晶片傳通過輝達測試

財訊快報

【財訊快報／劉敏夫】外電報導指出，熟知內情的消息人士透露，三星電子(005930 KS)第五代HBM3E記憶晶片的8層版本已經通過輝達(NVDA US)的測試。消息人士表示，三星電子和輝達尚未就8層HBM3E記憶晶片簽署供應協議，但很快就會簽署。預計第四季開始供應。

不過，12層版本的HBM3E記憶晶片尚未通過輝達的測試。





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