三星前工程師挖角並向中國外洩技術 經濟價值達4.3兆韓元

韓國媒體報導,一名前三星電子工程師因涉嫌挖角三星的半導體核心技術人才,並向中國成都高真科技 (CHJS) 洩漏 20 奈米 DRAM 記憶體晶片技術,遭逮捕並移送檢方,外流技術的經濟價值高達 4.3 兆韓元,全案共有 21 人遭移送法辦,

報導稱,64 歲三星電子前工程師因涉嫌違反「職業安定法」被捕,並移送首爾中央地方檢察廳。

該男是三星電子前員工,曾以顧問身分參與創立成都高真公司,並在 2018 年經營一家未註冊的人力資源機構並收取經濟補償,以至少 2 至 3 倍的優渥薪資挖角三星電子核心技術人才,協助在中國「復刻」DRAM 工廠,並於 2022 年 4 月成功生產半導體晶圓。

這間 DRAM 工廠從完工到投產僅費時 1 年 3 個月。 一般來說,晶圓從測試到量產通常需要 4 至 5 年。

韓國警方提到,外流技術的經濟價值高達 4 兆 3000 億韓元(約新台幣 998 億元),若考慮相關經濟效益,實際損失規模更加龐大。

除了這名前工程師,還有以相同手法挖角韓國半導體人才的 2 位獵人頭公司代表及法人被移送法辦。據悉獵頭公司已挖角逾 30 名技術人員。包括前三星電子工程師在內,成都高真技術外洩案共有 21 人遭移送法辦。

儘管韓國國家關鍵技術外流,警方只能根據刑責較輕的「職業安定法」、而非「產業技術保護法」來逮捕涉案嫌犯。

警方解釋,根據現行法規,以「挖角」方式外流技術的行為不屬於「產業技術保護法」規定的懲處範圍,因此有必要針對相關法律進行修法,以嚴懲商業間諜。

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