電子時報:大陸明年晶圓廠投資衝至100億美元,28、40奈米製程恐成下一波戰場

【財訊快報/編輯部】大陸半導體業者瘋狂投入晶圓代工和3D NAND市場,不僅5年要蓋20座晶圓廠,預估2018年大陸晶圓廠資本支出將暴衝至100億美元,值得憂慮的是,大陸在邏輯製程上礙於14奈米先進製程苦無突破點,遂全力轉向高性價比的中階製程技術,業者預期未來3年包括28、40奈米製程恐成為殺戮戰場,台灣二線晶圓代工廠將必須思索轉型之道。

大陸為達到半導體晶片自製率50~70%目標,兵分兩路積極布局,在3D NAND技術上,長江存儲旗下武漢新芯年底將推出32層晶片,然包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等業者,2017年將陸續進入64層和72層技術晶片,大陸3D NAND技術仍落後一大截,短期內無法威脅既有的主流廠商。