《科技》研調：三星跳電激勵買方補貨，DRAM合約價提前Q1起漲

【時報記者沈培華台北報導】根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查，近一個月來DRAM現貨價格持續走揚，加上2019年12月31號三星華城廠區發生跳電，雖然整體記憶體的供給並沒有受到重大影響，但觀察到各產品買方備貨意願增強。因此，TrendForce再次修正2020年第一季DRAM合約價格預測，由原先的「大致持平」調整為「小漲」，價格正式提前翻轉向上。

TrendForce對於標準型、行動式及利基型記憶體第一季價格預估，由「小跌」調整為「持平或小漲」。價格可望於本季提前調漲，對台記憶體廠南亞科 (2408) 、華邦電 (2344) 有利。南亞科即將於10日(本周五)召開法人說明會，預計對記憶體看法轉為樂觀。

在標準型記憶體部分，TrendForce預估本季價格持平甚至小漲的可能性高。之前在中美貿易關稅的不確定性下，大部分銷往美國的筆電都趕在2019年第四季出貨，導致2020年第一季的出貨較疲弱。但考量今年DRAM的供給位元成長幅度僅不到13%，加上三星跳電的影響，PC OEM廠已做好DRAM即將漲價的可能，當前都以建立更佳的庫存水位為目標，因此在採購上願意接受持平或更高的模組合約價格；若原廠能夠在第一季增加供貨量，買方甚至願意接受更高的價格。

行動式記憶體方面，第一季智慧型手機市場在5G具有支撐，但因5G晶片初期供應數量有限，加上傳統淡季影響，拉貨動能偏弱，因此TrendForce原先預測行動式記憶體Discrete/eMCP價格將較前一季下跌0-5%。然而自去年12月中開始，除了伺服器記憶體與繪圖用記憶體需求增溫，帶動整體價格走勢提前反轉外，NAND Flash的供應告急同樣激勵eMCP的價格表現，因此將行動式記憶體的價格預估由「小跌」調整為「大致持平」。

針對利基型記憶體，TrendForce指出，由於三星華城廠區Line 13的DRAM生產重心主要為20/25奈米的利基型記憶體產品，加上受到現貨市場價格上揚的影響最直接，使得利基型記憶體價格將提早反彈。目前來看，鎖定季度合約價的第一線大客戶有機會守住持平，不過原廠的供貨達成率(fulfillment rate)不到6成，加上採購端至去年底皆未積極備貨，導致庫存偏低，月合約價可能將開始逐月向上；此外，重複下單(double-booking)可能導致原廠的供貨達成率進一步惡化，因此第一季DDR3和DDR4的價格預估將較前一季上漲0-5%。