《產業分析》美晶片法案火速通過 2大咖對陸投資添變數

【時報記者林資傑台北報導】美國參眾議院上周火速通過「美國晶片法案」，擬對獲補貼公司加碼限制對中國大陸投資。市場研究機構TrendForce指出，目前同時在中美投資擴產的半導體公司，僅台積電(2330)及三星2家，後續將如何限制兩者在中國大陸的投資，值得持續關注。

TrendForce研究預估，觀察全球各區域12吋約當產能，至2025年台灣占約43％，中國大陸為27％、美國8％、韓國12％。7奈米以下先進製程產能方面，至2025年台灣占約69％、韓國18％、美國12％、中國大陸1％。

TrendForce表示，2022～2025年中國大陸12吋約當產能占比將自24％成長至27％，成長幅度居各區域之冠。但若僅觀察7奈米以下的先進製程，2022～2025年則以美國增幅最高，顯見美國未來3年將提升先進製程產能占比，中國大陸則以成熟製程為主軸。

而美國參眾2院上周火速通過「美國晶片法案」，待總統簽署後即正式生效，除涵蓋晶圓製造研發與建廠補助、稅務優惠補貼等，並提出附加限制條款，針對獲美國補貼的公司，擬限制補助期間不得在中國大陸投資28奈米以下製程技術，以保護美國半導體產業競爭力。

由於美「實體清單」明文禁止用於1X奈米以下先進製程的美國技術銷售給被列入清單的公司，多數中國大陸晶圓代工業者因而轉向積極擴充28奈米以上成熟製程技術。同時，中國大陸亦積極培植國產半導體設備，企圖達成全非美系製造產線。

然而，TrendForce表示，現階段美系設備商仍掌握部分半導體製程關鍵機台，尤其在7奈米以下先進製程仍必須採用美系設備方能製造，短期內要達成全面非美系產線的難度相當高。

其中，中芯國際2020年被列入「實體清單」前，即已開始發展深紫外線（DUV）曝光的N+2（7奈米）製程技術，近期已正式量產挖礦相關晶片。然而，據TrendForce調查，7奈米以下晶片若未轉用極紫外光（EUV）技術，需經歷更複雜的製作程序，將影響良率與成本表現。

同時，挖礦晶片的結構與其他邏輯晶片相比較為簡單，TrendForce認為，該製程產線欲生產更複雜的邏輯晶片難度恐怕相當高，且在美系設備出貨仍受限狀況下，中芯國際的N+2（7奈米）製程量產規模將極為有限。

綜上所述，疫情導致的晶片供應鏈斷鏈刺激各區域經濟體更加重視半導體自主性議題，美國除透過晶片法案積極培植國內產線外，更頻頻藉由附加限制條款，配合疫情前即已執行數年的實體清單禁令，欲提高對中國大陸半導體制裁的強度與深度以抑制其發展。

就晶圓代工端觀察，台積電與三星近期赴美投資設廠以5奈米先進製程為主，在中國大陸擴產活動則多為28奈米以上成熟製程。而中國大陸晶圓代工業者在既有設備限制下，亦較積極於擴充成熟製程產能。

然而，設備禁令將成為在陸擴產最大變數。TrendForce指出，過去川普政府曾透過「瓦聖納協議」要求荷蘭停止出口機台至中國大陸，但中芯國際仍於近期成功量產7奈米製程產品，認為美國恐因此再度依循該協議進行遊說，擴大限制範疇至DUV ArF immersion機台。

TrendForce認為，若美國遊說成功，不僅影響中國大陸往7奈米以下先進製程研發推進的可能性，由於ArF immersion機台也是40/28奈米擴產關鍵機台，恐怕將對目前中國大陸半導體擴產主力製程的40奈米及28奈米擴產活動造成極大影響。