尼克森 衝刺第三代半導體

MOSFET廠尼克森(3317)持續衝刺第三代半導體市場,2022年公司將投入第二代1200V的碳化矽Power MOSFET平台、650V的絕緣柵雙極電晶體(IGBT)及氮化鎵(GaN)等相關新品,可望持續替未來持續成長的工控、車用電子市場打下技術基礎,推動後續業績維持成長動能。

尼克森近年來開始擴大布局第三代半導體市場,除先前的SiC、IGBT等產品線外,進入2022年後,根據尼克森最新公布的年報中顯示,公司已開始著手開發第二代碳化矽1200V的Power MOSEFT、650V的IGBT及氮化鎵600V等產品線。

法人指出,目前尼克森在第三代半導體市場雖尚處於少量出貨階段,但隨著車用電子及工業用市場都開始大量導入SiC、GaN等產品,後續市場規模將有望逐步延伸到物聯網、消費性等市場,尼克森可望透過提前布局的基礎,快速切入其中,藉此帶動營運穩健向上成長。

尼克森公告4月合併營收達2.54億元、月增1.8%,寫下三個月以來高峰,相較2021年同期成長4.3%。累計2022年前四月合併營收為10.22億元、年增3.2%,創11年以來同期新高。

法人指出,雖然2022年的筆電、消費性市場需求逐步放緩,不過目前MOSFET市場需求仍相當熱絡,加上晶圓代工廠產能依舊維持吃緊狀態,且尼克森已經在最新公布的年報當中指出,公司將會擴大工業用電源管理及充電等市場,並持續開發第三代半導體材料技術等相關產品線,因此後續營運仍有望持續向上成長。

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尼克森公告第一季財報,單季合併營收為7.67億元、年成長2.8%,毛利率31.2%、年增2.4個百分點,毛利率連續兩季站在30%以上的相對高檔,歸屬母公司淨利1.52億元,相較2021年同期大幅成長68.3%,寫下單季歷史新高,每股淨利2.48元。

尼克森14日股價上漲3.88%至64.30元,寫下三個交易日以來新高,並站在月線之上,目前周KD仍處於低檔黃金交叉向上,若後續資金主流重回電子類股,尼克森有機會以第三代半導體概念股之姿,推動股價持續向上成長。

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