《半導體》南亞科自行開發10奈米技術

【時報記者沈培華台北報導】南亞科技 (2408) 今日舉行法人說明會,公司宣布將自行開發10奈米製程生產技術,與近幾代都採用美光授權技術之做法不同,並預計10奈米級第一代的產品將於今年下半年起試產。

南亞科持續推進先進製程,確定將採用自家10奈米製程生產技術,而不是再與美光合作;南亞科宣布成功開發出10奈米級DRAM新型記憶胞技術,使其DRAM產品可持續微縮至少3個世代。

南亞科近幾個世代製程技術,均來自美國記憶體大廠美光之授權,南亞科先進10奈米製程保持彈性,一為採用美光授權技術、二為自主研發,最後決定要走上自主開發的路。

南亞科指出,第一代的10奈米級前導產品8GbDDR4、LPDDR4及DDR5將建構在自主的製程技術及產品技術平台,預計於今年下半年後陸續進入產品試產。第二代的10奈米級製程技術目前已進入研發階段,預計於2022年前導入試產。

南亞科總經理李培瑛表示,新製程技術為南亞科帶來新的技術平台,並為未來更高密度的LPDDR5、LPDDR6提供持續發展機會,且由於是自主開發,可掌握技術開發步調,不用仰賴他廠授權,成本上也能有所改善。

南亞科技強調,累積至今的專利件數約為4,198件,同時藉由過去20年研發經驗,以及多年的人才培育,公司已完備獨立自主研發下世代技術與設計下世代產品的能力,將持續以創新技術精進公司的成長及競爭力。