《半導體》南亞科總座：DRAM需求年穩增15~20% 決建新廠

【時報記者沈培華台北報導】南亞科(2408)今天宣布，將斥資新台幣3000億元，投資興建12吋先進晶圓新廠。總經理李培瑛指出，5G、AI等應用帶動DRAM需求每年穩定成長15-20%，供應商也都理性擴產，加上既有廠的空間已不足，因此決定建新廠。

南亞科技規劃於新北市泰山南林科技園區興建一座雙層無塵室12吋晶圓廠，將採用南亞科自主研發的10奈米級製程技術生產DRAM晶片，及規劃建置EUV極紫外光微影生產技術，月產能約為45,000片晶圓。

此座先進晶圓廠，預估以7年分三階段投資，計劃於2021年底動工，2023年底完工，2024年開始第一階段量產。南亞科總經理李培瑛表示，12吋新廠2024年將量產第一階段、月產能約1.5萬片，將導入自主研發的10奈米級製程第二世代，後續也將陸續導入第三世代、第四世代，EUV(極紫外光)微影生產技術將從第三世代啟動。

南亞科總經理李培瑛表示，5G、AI、工業等應用，對DRAM需求持續提升，隨著電子產品智慧化含量增加，DRAM市場需求每年均穩定成長15-20%；供應商也都因應市場需求、相對理性的增加產能，且所有供應商對DRAM產業的依賴度都非常高，過去幾年，產業都相對穩健發展；目前3A廠僅剩小小的空間，公司為長遠永續發展，必須在製程技術、產品技術、產能規劃上持續推進。

南亞科技近年加速10奈米級技術及產品的自主創新研發。總經理李培瑛表示，公司於2020年成功開發出10奈米級DRAM記憶胞技術，並規劃於今年導入量產，未來可生產DDR5, LPDDR5及16Gb高容量等DRAM產品，以因應未來5G與智慧世代的發展。新廠的投資計畫亦將導入數個10奈米級世代自主技術，堅持DRAM核心事業。