力旺攜手聯電合作22奈米RRAM可靠度驗證，從AIoT、行動通訊延伸到車規

財訊快報

【財訊快報／記者李純君報導】矽智財供應商力旺電子(3529)與晶圓代工大廠聯電(2303)，今日宣布，力旺的可變電阻式記憶體(RRAM)矽智財已通過聯電22奈米超低功耗的可靠度驗證，為聯電的AIoT與行動通訊應用平台提供更多元的嵌入式記憶體解決方案，未來雙方也將持續合作開發車用規格的RRAM。 力旺提到，8Mb RRAM IP具有額外的16Kb資訊儲存區塊和內部修復與錯誤偵測/修正等關鍵功能，可用於IoT設備中的微控制器和智慧電源管理IC的編碼儲存，還可以支援人工智慧之記憶體內運算架構。聯電提供22奈米的0.8V/2.5V RRAM平台，使用較少的光罩層數、較短的生產週期和更容易與BCD、高壓等特殊製程整合的優勢。

「對40奈米、22奈米和高階製程而言，RRAM是不可或缺的多次編程嵌入式記憶體選項。力旺的下一個RRAM開發目標是對應汽車應用需求，在22奈米0.8V/2.5V平台實現更高的儲存密度(16Mb)、更快的速度、更高的寫入溫度耐受度和持續提升的覆寫能力。」力旺電子技術長暨第二事業群總經理林慶源表示：「此外，我們繼續推進在0.8V/1.8V ULP上的開發，並可擴展至更多製程節點。」

聯電技術開發部副總徐世杰表示：「隨著AIoT應用不斷地拓展，市場對低功耗非揮發性記憶體的需求逐漸增加。力旺的IP成功的在聯電22奈米RRAM平台完成驗證，為客戶在開發下一代產品時提供更強大的記憶體解決方案。」

力旺的RRAM IP具有一萬次覆寫能力和長達10年的數據保留，並可承受高達105度的高溫。為了方便用戶，這款RRAM IP設計具備友善的介面、完整的使用者模式和測試模式，並可在0.8V/2.5V標稱雙電壓接口下進行編程。與分離閘快閃記憶體(split-gate Flash)相比，RRAM具有相對簡單的結構、使用較少層的光罩、較友善的製程和更高的CMOS製程兼容性。在對性能要求相對嚴格的汽車應用中，RRAM與MRAM相比，具有更佳的抗磁能力。

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