《半導體》聯電聯手Avalanche,合作開發28奈米MRAM技術

【時報記者沈培華台北報導】聯電 (2303) 與下一代ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻RAM)領導者美商Avalanche共同宣布,合作技術開發MRAM及相關28奈米產品;聯電即日起透過授權,提供客戶具有成本效益的28奈米嵌入式非揮發性MRAM技術。

此兩家公司成為合作伙伴,共同開發和生產取代嵌入式記憶體的磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)。同時聯電將透過Avalanche的授權提供技術給其他公司。

聯電根據此合作協議,於28奈米CMOS製程上提供嵌入式非揮發性MRAM區塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM記憶體模組整合至應用產品,並鎖定在物聯網、穿戴裝置、消費型產品,以及工業、車用電子市場的微控制器(MCU)和系統單晶片(SoC)上。

兩家公司也正考慮將合作範疇擴展至28奈米以下的製程技術,利用Avalanche在CMOS技術的相容及可擴充特性,運用到各個先進製程。使這些統一記憶體(非揮發性及靜態隨機存取記憶體SRAM)能順利地移轉調配到下一世代的高整合性的微控制器(MCU)和系統單晶片(SoC)上。如此一來,系統設計者就可以在同樣的架構及連帶的軟體系統上直接修改而不需重新設計。

聯電先進技術處副總經理洪圭鈞表示,聯電不斷推出持續精進的製程技術,以提升客戶的競爭優勢。隨著嵌入式非揮發性記憶體NVM解決方案在目前的晶片設計界日趨普及,已經為高成長的行業,如:新興消費和車用電子應用的客戶,建立了強大且堅實的嵌入式非揮發性記憶體解決方案組合。聯電和Avalanche合作開發28奈米MRAM,期待能將此合作進程推升至聯電客戶的量產階段。