《電腦設備》搶攻大容量，群聯支援美光64層3D NAND

【時報-台北電】NAND控制IC廠群聯 （8299） 宣布，隨著智慧型手機搭載NAND Flash容量已進入128GB，旗艦機型更搭載256GB，群聯eMMC/eMCP及UFS控制IC將全系列支援美光64層3D NAND，同時準備次世代96層3D NAND技術研發，不但協助客戶在智慧行動裝置市場擴大產品戰線，亦為客戶卡位車聯網商機作好準備。

2018年全球行動通訊大會（MWC）正式登場，應用於智慧型手機的人工智慧（AI）運算、虛擬實境（VR）應用、身份辨識、4K HDR影片錄製及環繞音場等創新功能，成為各大手機廠發表新機的亮點。為了能滿足這些多媒體功能儲存需求，今年度的智慧型手機內嵌式NAND Flash記憶體容量全面躍升至128GB，旗艦型機種甚至拉高至256GB。

群聯指出，從各國際品牌手機廠2018年將推出的旗艦機種來看，非蘋陣營的國際智慧新機內嵌式記憶體eMMC/eMCP的儲存容量規格提升至128GB，至於全球前2大智慧型手機廠主攻的旗艦新機，則不約而同皆搭載256GB的UFS內嵌式記憶體，除了為2018年智慧型新機大容量儲存規格賽正式鳴槍開跑，亦同步宣告64層甚至更高層數的3D NAND技術正式接棒成為快閃記憶體的主流規格。

群聯表示，從NAND Flash技術演進來看，當容量需求快速增加，甚至是倍增之時，2D NAND的平面生產技術已不能滿足終端應用之需求。由於2D NAND的限縮每個儲存單位、同時增加同一層儲存密度的微縮技術，已逐漸接近物理極限，因此導致單顆晶片最高容量大多停留在128Gb水準。至於3D NAND技術透過垂直立體堆疊儲存單元的方式，突破容量上限的瓶頸，其最高容量將可倍增至256Gb，並可提升讀寫資訊效能。

依據目前各國際大廠的3D NAND製程演進來看，群聯看好64層3D NAND將為今年主流技術，因此除了領先同業推出的可支援該製程技術的高速UFS控制IC外，包括熱賣的eMMC/eMCP等全系列控制IC，皆同步支援東芝及美光的64層3D NAND。另外，群聯也會進一步支援次世代的96層3D NAND先進製程技術，相關控制IC有望在年底接棒推出。(新聞來源：工商時報─涂志豪／台北報導)