《電腦設備》智慧手機進入大容量時代，群聯搶卡位

【時報記者王逸芯台北報導】群聯 (8299) 為因應智慧行動儲存市場進入128GB、甚至是256GB的大容量等級需求，群聯 (8299) 今(27)日正式宣佈eMMC/eMCP/UFS控制晶片將全系列支援美光64層3D NAND Flash，亦已準備次世代96層技術研發，不但協助客戶在智慧行動裝罝市場擴大產品戰線，亦為客戶卡位車聯網商機作好準備。

2018年全球行動通訊大會(MWC)登場，應用於智慧型手機的AI運算、AR虛擬應用、身份辨識、GIF貼圖、4K HDR影片錄製以及環繞音場等創新功能成為各大國際手機廠發表新機之亮點，為能滿足這些多媒體功能儲存需求，今年度的智慧新機之內嵌式記憶體容量全面躍升至128GB、甚至是256GB的儲存容量等級。

從各國際品牌手機廠2018年將推出的旗艦機種來看，非蘋陣營的國際智慧新機之內嵌式記憶體eMMC/eMCP的儲存容量規格提升至128GB，至於全球前兩大智慧型手機廠主攻之旗艦新機則不約而同皆搭載256GB的UFS內嵌式記憶體，除了為2018年智慧型新機大容量儲存規格賽正式鳴槍開跑，亦同步宣告64層甚至更高層數的3D NAND Flash技術正式接棒成為快閃記憶體的主流製程。

群聯表示，從快閃記憶體技術演進來看，當容量需求快速增加，甚至是倍增之時，2D的平面生產技術已不能滿足終端應用之需求。就2D之NAND Flash之限縮每個儲存單位、同時增加同一層儲存密度的微縮技術已逐漸接近物理極限，因此導致最高容量大多停留在128Gb(16GB)之容量水準。至於3D 之NAND Flash技術，則透過垂直立體堆疊儲存單元的方式，突破容量上限的瓶頸，其最高容量將可倍增至256Gb(32GB)，並可提升讀寫資訊之效能。

有鑑於市場應用，再依據目前各大國際快閃記憶體製造大廠的3D NAND Flash製程演進來看，群聯電子看好，64層的3D NAND Flash將為今年最大宗之主流技術，因此除了領先同業推出的可支援該製程技術的高速UFS控制晶片PS8313之外，包括既有熱賣的eMMC/eMCP PS8226等全系列控制晶片皆同步支援東芝陣營及美光陣營的64層3D NAND Flash，另方面，進一步支援次世代的96層3D NAND Flash之先進製程技術的控制晶片亦有望在年底接棒推出，力求以全方面且長期完整的產品規劃滿足智慧行動裝置、車聯網等客戶擴大全球市場佈局之需求。