《科技》三星大擴產,研調:3D NAND恐供過於求

【時報記者沈培華台北報導】韓國三星電子(Samsung Electronics Co.)今年的半導體資本支出金額大幅倍增至260億元,其中逾半投資在3D NAND型快閃記憶體;科技市調機構IC Insights預警,這恐使得未來3D NAND型快閃記憶體供給過剩。

IC Insights發表研究報告指出,今年全球半導體資本支出預計成長35%至908億美元,其中,三星今年的支出高達260億美元、遠高於去年的113億美元,更比今年英特爾(Intel Corp.)、台積電 (2330) 資本支出加總更多。

IC Insights估計,三星今年的260億美元半導體支出中,140億美元用於3D NAND擴產,70億美元在推進DRAM製程,其餘50億美元做為晶圓代工所需,主要用來擴充10奈米製程產能。

三星今年的巨額支出規模,可說是史無前例,對未來的影響極大,3D NAND市場很可能將面臨供過於求。IC Insights指出,三星競爭對手如SK Hynix、美光、東芝、英特爾等也可能跟著擴充產能、以免喪失市占率。另一方面,三星大舉擴張,也扼殺中國大陸在3D NAND或DRAM市場的機會。