【時報-新聞快遞】全球記憶體領導供應商奇夢達公司(NYSE: QI)今日宣佈1GB和2GB的 DDR3 SO-DIMM記憶體模組 (Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules)的樣品開始出貨給主要客戶，以布局次世代的筆記型電腦市場。

奇夢達將其最新的DDR3 SO-DIMMs最佳化，提供高度的省電功能，以居於業界領導地位。在行動運算中，省電效率是新DDR3記憶體介面很重要的價值主張，因為它能在筆記型電腦及其他行動運算應用裝置中，讓電池有較長壽命且仍保有較高的性能表現。奇夢達率先於2006年6月推出DDR3記憶體產品，並於2007年5月開始出貨給桌上型電腦客戶，DDR3 SO-DIMM的推出，是奇夢達在DDR3產品策略上十分重要的一步，同時也符合了奇夢達在堅強產品陣容的承諾。

奇夢達電腦運算事業部副總裁Michael Buckermann表示：「奇夢達1GB和2GB的DDR3 SO-DIMMs讓我們的客戶能充份享受DDR3顯著減少耗電量和增的頻寬所帶來的便利。奇夢達全力地支持客戶推出次世代的行動運算應用產品，預計內建奇夢達DDR3的筆記型電腦將於2008年上半年上市。」

1GB 和2GB的SO-DIMM模組由奇夢達以75奈米技術所生產的1Gbit DDR3零組件所組成，提供顯著的省電效果，因為DDR3僅需1.5伏特的電力供給，而DDR2則是1.8伏特。根據SO-DIMM容量的不同，奇夢達的DDR3 SO-DIMMs與現今主流的DDR2模組相比，甚至可以節省30%到50%的耗電量。

奇夢達的DDR3 SDRAM裝置提供1.600 Mb/s的資料傳輸率，是現今DDR2記憶體最大傳輸率的兩倍，並且也可以顯著提升個人電腦、行動運算裝置和伺服器效能。

DDR3 SO-DIMMs是由奇夢達和其夥伴南亞科技所研發的DDR3 1Gbit零組件上，奇夢達和南亞科技支援新功能以提供高處理速度，例如Dynamic ODT (On Die Termination) 在每通道運作2 個DIMM模組上，以很高的資料傳輸速率下能增強訊號準確性；Calibrated Driver Impedance則能將DDR3 SDRAM輸出驅動器阻抗最佳化。已降低的介面寄生效應，結合數據傳輸線上的讀寫操作，使得DDR3 SO-DIMMs擁有極高的傳輸率。

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